ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 100V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta), 26A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 7V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±25V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2200pF @ 50V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 2W (Ta), 35W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-DFN-EP (5x6) |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerVDFN |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |