| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
|---|---|
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 8V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 1.2V, 2.5V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 8A, 2.5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 750mV @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Vgs (მაქს) | ±5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1645pF @ 4V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 2.8W (Ta) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 6-DFN-EP (2x2) |
| პაკეტი / კორპუსი | 6-UDFN Exposed Pad |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
