| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | High-Side or Low-Side |
| არხის ტიპი | 3-Phase |
| დრაივერების რაოდენობა | 6 |
| კარიბჭის ტიპი | N-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 5.5V ~ 50V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 0.8V, 1.5V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | - |
| შეყვანის ტიპი | TTL |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | - |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 35ns, 20ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 105°C (TA) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 28-VFQFN Exposed Pad |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 28-QFN-EP (5x5) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
