| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
|---|---|
| FET ტიპი | P-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 40V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 50mA (Ta) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 20V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 250 Ohm @ 100µA, 20V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 5V @ 10µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
| Vgs (მაქს) | ±30V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 3.5pF @ 15V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 375mW (Ta) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-72 |
| პაკეტი / კორპუსი | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
