| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | Half-Bridge |
| არხის ტიპი | Independent |
| დრაივერების რაოდენობა | 2 |
| კარიბჭის ტიპი | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 3V ~ 3.5V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 1.2V, 2V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 4A, 8A |
| შეყვანის ტიპი | Non-Inverting |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | - |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 6.5ns, 4.5ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 13-TFLGA |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PG-TFLGA-13-1 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
