ბოჭკოვანი ოპტიკა - გადამცემები - დისკრეტული

HFBR-779BHWZ

ნაწილი საფონდო: 9582

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 0.4nm, ტევადობა: 0.1µF,

HFBR-1532Z

ნაწილი საფონდო: 5936

ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.02V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 80mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1525EZ

ნაწილი საფონდო: 5904

HFBR-1533Z

ნაწილი საფონდო: 5962

ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.02V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 80mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1505CFZ

ნაწილი საფონდო: 5288

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1506AMZ

ნაწილი საფონდო: 3591

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1312TZ

ნაწილი საფონდო: 1528

ტალღის სიგრძე: 1300nm, სპექტრული გამტარობა: 185nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 4V, ტევადობა: 16pF,

HFBR-1604Z

ნაწილი საფონდო: 3372

ტალღის სიგრძე: 655nm, სპექტრული გამტარობა: 20nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 30pF,

HFBR-1523Z

ნაწილი საფონდო: 6363

ტალღის სიგრძე: 660nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.02V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 80mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1119TZ

ნაწილი საფონდო: 9552

ტალღის სიგრძე: 1300nm, სპექტრული გამტარობა: 137nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 185mA,

HFBR-1412Z

ნაწილი საფონდო: 3710

ტალღის სიგრძე: 820nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1.8V, ტევადობა: 55pF,

HFBR-1527

ნაწილი საფონდო: 9586

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1712TZ

ნაწილი საფონდო: 9566

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 0.85nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.3V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2V,

HFBR-1526

ნაწილი საფონდო: 2992

SP000063802

ნაწილი საფონდო: 7476

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 25nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 30pF,

HFBR-1414Z

ნაწილი საფონდო: 3651

ტალღის სიგრძე: 820nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1.8V, ტევადობა: 55pF,

HFBR-1402Z

ნაწილი საფონდო: 3636

ტალღის სიგრძე: 820nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1.8V,

HFBR-1415Z

ნაწილი საფონდო: 3643

ტალღის სიგრძე: 820nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3.8V,

HFBR-772BWZ

ნაწილი საფონდო: 9627

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 0.4nm, ტევადობა: 0.1µF,

HFBR-1528Z

ნაწილი საფონდო: 5746

ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.02V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 80mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V,

HFBR-1531ETZ

ნაწილი საფონდო: 5167

ტალღის სიგრძე: 660nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1523

ნაწილი საფონდო: 3017

ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1522ETZ

ნაწილი საფონდო: 6180

ტალღის სიგრძე: 660nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1505AZ

ნაწილი საფონდო: 7790

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1521

ნაწილი საფონდო: 9562

ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1528

ნაწილი საფონდო: 9558

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1532

ნაწილი საფონდო: 9593

ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1521Z

ნაწილი საფონდო: 6322

ტალღის სიგრძე: 660nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.02V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 80mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1533

ნაწილი საფონდო: 9565

ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1505A

ნაწილი საფონდო: 9583

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1537

ნაწილი საფონდო: 9558

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1412TMZ

ნაწილი საფონდო: 3700

ტალღის სიგრძე: 820nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1.8V, ტევადობა: 55pF,

HFBR-1116TZ

ნაწილი საფონდო: 9571

ტალღის სიგრძე: 1300nm, სპექტრული გამტარობა: 137nm,

HFBR-1525E

ნაწილი საფონდო: 9621

HFBR-772BEWZ

ნაწილი საფონდო: 9548

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 0.4nm, ტევადობა: 0.1µF,

HFBR-772BEHWZ

ნაწილი საფონდო: 9559

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 0.4nm, ტევადობა: 0.1µF,