სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 34k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 17,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 17,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 95, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
