სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 110, 160, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 180, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, 6.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 81, 130, ტოლერანტობა: ±2 Ohm, ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 120, 190, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 180, 240, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 18, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 160, 240, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 160, 260, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 680, 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 120, 480, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 18, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 82, 130, ტოლერანტობა: ±2 Ohm, ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 160, 240, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 18, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
