რეზისტორული ქსელები, მასივები

4608X-102-333LF

4608X-102-333LF

ნაწილი საფონდო: 118142

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4608X-102-334LF

4608X-102-334LF

ნაწილი საფონდო: 128528

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4608X-102-123LF

4608X-102-123LF

ნაწილი საფონდო: 128529

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4609X-101-224LF

4609X-101-224LF

ნაწილი საფონდო: 128545

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
4608X-101-105LF

4608X-101-105LF

ნაწილი საფონდო: 118124

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
4608X-101-224LF

4608X-101-224LF

ნაწილი საფონდო: 128537

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
4608X-102-104LF

4608X-102-104LF

ნაწილი საფონდო: 128522

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4608X-101-152LF

4608X-101-152LF

ნაწილი საფონდო: 128528

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
4608X-101-271LF

4608X-101-271LF

ნაწილი საფონდო: 126314

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
4608X-101-222LF

4608X-101-222LF

ნაწილი საფონდო: 128537

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
4608X-102-332LF

4608X-102-332LF

ნაწილი საფონდო: 122081

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4608X-102-562LF

4608X-102-562LF

ნაწილი საფონდო: 128543

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4608X-102-393LF

4608X-102-393LF

ნაწილი საფონდო: 128537

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4609X-101-223LF

4609X-101-223LF

ნაწილი საფონდო: 116298

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
4608X-102-390LF

4608X-102-390LF

ნაწილი საფონდო: 128546

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4608X-102-510LF

4608X-102-510LF

ნაწილი საფონდო: 128477

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4608X-102-391LF

4608X-102-391LF

ნაწილი საფონდო: 128543

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4608X-102-473LF

4608X-102-473LF

ნაწილი საფონდო: 128555

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
4610X-101-333LF

4610X-101-333LF

ნაწილი საფონდო: 116254

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
4310H-102-472LF

4310H-102-472LF

ნაწილი საფონდო: 170787

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-101-223

4308M-101-223

ნაწილი საფონდო: 187812

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-102-562LF

4308M-102-562LF

ნაწილი საფონდო: 187769

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-101-681

4308M-101-681

ნაწილი საფონდო: 187857

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308H-102-104LF

4308H-102-104LF

ნაწილი საფონდო: 105690

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308H-101-221LF

4308H-101-221LF

ნაწილი საფონდო: 176361

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-102-331LF

4308M-102-331LF

ნაწილი საფონდო: 187859

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-102-220

4308M-102-220

ნაწილი საფონდო: 187809

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4310M-102-202LF

4310M-102-202LF

ნაწილი საფონდო: 170742

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308H-102-153LF

4308H-102-153LF

ნაწილი საფონდო: 140306

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-101-472

4308M-101-472

ნაწილი საფონდო: 187856

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-101-103LF

4308M-101-103LF

ნაწილი საფონდო: 187803

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-102-220LF

4308M-102-220LF

ნაწილი საფონდო: 187853

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308H-101-273

4308H-101-273

ნაწილი საფონდო: 129204

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-102-392LF

4308M-102-392LF

ნაწილი საფონდო: 187847

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-102-131LF

4308M-102-131LF

ნაწილი საფონდო: 187837

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი
4308M-102-131

4308M-102-131

ნაწილი საფონდო: 187785

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,

სასურველი