სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 270, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 180, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 68, 330, ტოლერანტობა: ±2 Ohm, ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 470, 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2M, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 36,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 32,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 1.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 32,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 32,
სქემის ტიპი: R2R Ladder, წინააღმდეგობა (ომი): 50k, 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 10,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 10,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: 50 ppm/°C,
