რეზისტორული ქსელები, მასივები

4606X-104-302/622

4606X-104-302/622

ნაწილი საფონდო: 4232

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, 6.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
4608X-101-220

4608X-101-220

ნაწილი საფონდო: 4231

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±1 Ohm, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
4606X-104-331/391

4606X-104-331/391

ნაწილი საფონდო: 4243

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
4606X-104-181/391

4606X-104-181/391

ნაწილი საფონდო: 4162

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 180, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
4606X-104-221/271

4606X-104-221/271

ნაწილი საფონდო: 5436

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
4606X-104-161/241

4606X-104-161/241

ნაწილი საფონდო: 5503

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 160, 240, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
4606X-104-221/331

4606X-104-221/331

ნაწილი საფონდო: 4154

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
4606X-102-564

4606X-102-564

ნაწილი საფონდო: 4240

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-105

4606X-102-105

ნაწილი საფონდო: 4161

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-684

4606X-102-684

ნაწილი საფონდო: 4217

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-274

4606X-102-274

ნაწილი საფონდო: 4199

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-394

4606X-102-394

ნაწილი საფონდო: 4155

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-334

4606X-102-334

ნაწილი საფონდო: 4193

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-154

4606X-102-154

ნაწილი საფონდო: 4200

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-224

4606X-102-224

ნაწილი საფონდო: 4189

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-184

4606X-102-184

ნაწილი საფონდო: 4201

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-124

4606X-102-124

ნაწილი საფონდო: 4203

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-104

4606X-102-104

ნაწილი საფონდო: 4207

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-823

4606X-102-823

ნაწილი საფონდო: 4156

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-683

4606X-102-683

ნაწილი საფონდო: 4149

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-393

4606X-102-393

ნაწილი საფონდო: 4206

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-333

4606X-102-333

ნაწილი საფონდო: 4150

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-223

4606X-102-223

ნაწილი საფონდო: 4235

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-273

4606X-102-273

ნაწილი საფონდო: 4221

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-203

4606X-102-203

ნაწილი საფონდო: 4223

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-183

4606X-102-183

ნაწილი საფონდო: 4139

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-123

4606X-102-123

ნაწილი საფონდო: 4165

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-153

4606X-102-153

ნაწილი საფონდო: 4157

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-822

4606X-102-822

ნაწილი საფონდო: 4221

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-682

4606X-102-682

ნაწილი საფონდო: 4154

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-562

4606X-102-562

ნაწილი საფონდო: 4227

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-103

4606X-102-103

ნაწილი საფონდო: 4218

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-272

4606X-102-272

ნაწილი საფონდო: 4202

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-472

4606X-102-472

ნაწილი საფონდო: 4206

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-332

4606X-102-332

ნაწილი საფონდო: 4218

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
4606X-102-392

4606X-102-392

ნაწილი საფონდო: 4148

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი