ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

PWR6327N36R0JE

PWR6327N36R0JE

ნაწილი საფონდო: 2919

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
PWR6327N1R50F

PWR6327N1R50F

ნაწილი საფონდო: 2287

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CRT1206-DZ-1R74ELF

CRT1206-DZ-1R74ELF

ნაწილი საფონდო: 2870

წინააღმდეგობა: 1.74 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PWR1913W4R70J

PWR1913W4R70J

ნაწილი საფონდო: 1981

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PWR6327W5R00J

PWR6327W5R00J

ნაწილი საფონდო: 2060

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CRM2010-FZ-R050ELF

CRM2010-FZ-R050ELF

ნაწილი საფონდო: 2359

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
CR0805-FX-3001GLF

CR0805-FX-3001GLF

ნაწილი საფონდო: 152764

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PWR6327W75R0J

PWR6327W75R0J

ნაწილი საფონდო: 2016

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
PWR6327N10R5FE

PWR6327N10R5FE

ნაწილი საფონდო: 2265

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
CRF2512-FX-R015ELF

CRF2512-FX-R015ELF

ნაწილი საფონდო: 2030

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PWR6327W7R00F

PWR6327W7R00F

ნაწილი საფონდო: 2046

წინააღმდეგობა: 7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PWR6327N68R0FE

PWR6327N68R0FE

ნაწილი საფონდო: 2014

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
PWR6327WR005JE

PWR6327WR005JE

ნაწილი საფონდო: 2007

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
PWR6327W4R70JE

PWR6327W4R70JE

ნაწილი საფონდო: 2064

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CR0603-JW-392GLF

CR0603-JW-392GLF

ნაწილი საფონდო: 137221

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRF2512-JX-R010ELF

CRF2512-JX-R010ELF

ნაწილი საფონდო: 2091

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRL0603-JW-3R30ELF

CRL0603-JW-3R30ELF

ნაწილი საფონდო: 1922

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRM2512-FZ-R047ELF

CRM2512-FZ-R047ELF

ნაწილი საფონდო: 2035

წინააღმდეგობა: 47 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
PWR6327W2501J

PWR6327W2501J

ნაწილი საფონდო: 2003

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
CR2512-J/-2R4ELF

CR2512-J/-2R4ELF

ნაწილი საფონდო: 2166

წინააღმდეგობა: 2.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
PWR6327WR500F

PWR6327WR500F

ნაწილი საფონდო: 2009

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
CRF2512-JX-R003ELF

CRF2512-JX-R003ELF

ნაწილი საფონდო: 1997

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRM1206-FZ-R050ELF

CRM1206-FZ-R050ELF

ნაწილი საფონდო: 157632

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
CRF2512-JV-R001ELF

CRF2512-JV-R001ELF

ნაწილი საფონდო: 2260

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±275ppm/°C,

სასურველი
PWR6327W22R0FE

PWR6327W22R0FE

ნაწილი საფონდო: 2045

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
CRF0805-FX-R020ELF

CRF0805-FX-R020ELF

ნაწილი საფონდო: 1980

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CR0805-FX-1R00ELF

CR0805-FX-1R00ELF

ნაწილი საფონდო: 1933

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PWR6327W1800JE

PWR6327W1800JE

ნაწილი საფონდო: 1982

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
CHF2010DNP500LXE

CHF2010DNP500LXE

ნაწილი საფონდო: 1973

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency,

სასურველი
PWR6327N11R0FE

PWR6327N11R0FE

ნაწილი საფონდო: 2006

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
CRF0805-FX-R009ELF

CRF0805-FX-R009ELF

ნაწილი საფონდო: 2258

წინააღმდეგობა: 9 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PWR6327W2502JE

PWR6327W2502JE

ნაწილი საფონდო: 2030

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
CRF2512-FX-R002ELF

CRF2512-FX-R002ELF

ნაწილი საფონდო: 2026

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PWR6327W32R4F

PWR6327W32R4F

ნაწილი საფონდო: 2074

წინააღმდეგობა: 32.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
PWR6327WR100FE

PWR6327WR100FE

ნაწილი საფონდო: 2032

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
CHF2010CNP101RXE

CHF2010CNP101RXE

ნაწილი საფონდო: 2015

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency,

სასურველი