ფიქსირებული ინდუქტორები

SCRH3D16-2R2

SCRH3D16-2R2

ნაწილი საფონდო: 191562

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
SCMS5D12-6R2

SCMS5D12-6R2

ნაწილი საფონდო: 102479

ინდუქცია: 6.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.23A, მიმდინარე - სატურაცია: 950mA,

სასურველი
SCRH4D28-100

SCRH4D28-100

ნაწილი საფონდო: 190534

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.51A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
SCRH4D28-3R9

SCRH4D28-3R9

ნაწილი საფონდო: 132906

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.61A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.44A,

სასურველი
SC1812-471

SC1812-471

ნაწილი საფონდო: 126220

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA, მიმდინარე - სატურაცია: 90mA,

სასურველი
SCRH4D28-470

SCRH4D28-470

ნაწილი საფონდო: 142984

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 730mA, მიმდინარე - სატურაცია: 480mA,

სასურველი
SCIHP0730-4R7M

SCIHP0730-4R7M

ნაწილი საფონდო: 154028

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A, მიმდინარე - სატურაცია: 8A,

სასურველი
SCIHP0735-1R0M

SCIHP0735-1R0M

ნაწილი საფონდო: 102861

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,

სასურველი
SCRH5D18-3R3

SCRH5D18-3R3

ნაწილი საფონდო: 180899

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.15A,

სასურველი
SCRH4D28-5R6

SCRH4D28-5R6

ნაწილი საფონდო: 148256

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.08A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.17A,

სასურველი
SCIHP0730-1R0M

SCIHP0730-1R0M

ნაწილი საფონდო: 103157

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A, მიმდინარე - სატურაცია: 17A,

სასურველი
SCRH4D18-100

SCRH4D18-100

ნაწილი საფონდო: 139422

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.08A, მიმდინარე - სატურაცია: 610mA,

სასურველი
SCMS5D12-331

SCMS5D12-331

ნაწილი საფონდო: 147287

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA, მიმდინარე - სატურაცია: 120mA,

სასურველი
SCH53-121

SCH53-121

ნაწილი საფონდო: 194359

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 340mA,

სასურველი
SCRH5D18-120

SCRH5D18-120

ნაწილი საფონდო: 166761

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.37A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
SCMS5D12-3R3

SCMS5D12-3R3

ნაწილი საფონდო: 158148

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.53A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.25A,

სასურველი
SC1206-100

SC1206-100

ნაწილი საფონდო: 178365

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 230mA,

სასურველი
SCRH5D18-6R2

SCRH5D18-6R2

ნაწილი საფონდო: 176174

ინდუქცია: 6.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.75A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
SCRH5D18-100

SCRH5D18-100

ნაწილი საფონდო: 182967

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.41A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
SC1812-1R0

SC1812-1R0

ნაწილი საფონდო: 190992

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.75A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.08A,

სასურველი
SCRH4D18-220

SCRH4D18-220

ნაწილი საფონდო: 165437

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 410mA,

სასურველი
SCRH4D18-1R0

SCRH4D18-1R0

ნაწილი საფონდო: 114256

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.72A,

სასურველი
SCRH4D28-180

SCRH4D28-180

ნაწილი საფონდო: 158541

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.42A, მიმდინარე - სატურაცია: 720mA,

სასურველი
SC1210-2R2

SC1210-2R2

ნაწილი საფონდო: 171573

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,

სასურველი
SCH53-100

SCH53-100

ნაწილი საფონდო: 174021

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.23A,

სასურველი
SC1206-470

SC1206-470

ნაწილი საფონდო: 152765

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA, მიმდინარე - სატურაცია: 100mA,

სასურველი
SCRH3D16-6R8

SCRH3D16-6R8

ნაწილი საფონდო: 188880

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.14A, მიმდინარე - სატურაცია: 730mA,

სასურველი
SCIHP0724-3R3M

SCIHP0724-3R3M

ნაწილი საფონდო: 114292

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A, მიმდინარე - სატურაცია: 9A,

სასურველი
SCRH5D18-560

SCRH5D18-560

ნაწილი საფონდო: 182884

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,

სასურველი
SC104-391

SC104-391

ნაწილი საფონდო: 166104

ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,

სასურველი
SC1210-1R0

SC1210-1R0

ნაწილი საფონდო: 142829

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.25A, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
SCIHP0730-6R8M

SCIHP0730-6R8M

ნაწილი საფონდო: 115463

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7A,

სასურველი
SC1812-470

SC1812-470

ნაწილი საფონდო: 108568

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 280mA,

სასურველი
SCIHP0730-R82M

SCIHP0730-R82M

ნაწილი საფონდო: 167813

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A, მიმდინარე - სატურაცია: 19A,

სასურველი
SCRH5D18-180

SCRH5D18-180

ნაწილი საფონდო: 105390

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,

სასურველი
SCRH5D18-4R1

SCRH5D18-4R1

ნაწილი საფონდო: 181256

ინდუქცია: 4.1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.95A,

სასურველი