ფიქსირებული ინდუქტორები

SCRH62B-7R1

SCRH62B-7R1

ნაწილი საფონდო: 6507

ინდუქცია: 7.1µH, ტოლერანტობა: -20%, +40%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.53A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.22A,

სასურველი
SCB63C-560

SCB63C-560

ნაწილი საფონდო: 6479

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,

სასურველი
SCC5D23-150

SCC5D23-150

ნაწილი საფონდო: 6457

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 820mA,

სასურველი
SC1608C-151

SC1608C-151

ნაწილი საფონდო: 6479

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA, მიმდინარე - სატურაცია: 100mA,

სასურველი
SCB63C-100

SCB63C-100

ნაწილი საფონდო: 6470

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
SCTH2010-220

SCTH2010-220

ნაწილი საფონდო: 6454

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA, მიმდინარე - სატურაცია: 240mA,

სასურველი
SC1608C-3R3

SC1608C-3R3

ნაწილი საფონდო: 9726

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.61A, მიმდინარე - სატურაცია: 750mA,

სასურველი
SCTH2010-100

SCTH2010-100

ნაწილი საფონდო: 6474

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,

სასურველი
SC1608C-470

SC1608C-470

ნაწილი საფონდო: 6481

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.03A, მიმდინარე - სატურაცია: 240mA,

სასურველი
SCRH62B-330

SCRH62B-330

ნაწილი საფონდო: 6547

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA, მიმდინარე - სატურაცია: 590mA,

სასურველი
SCC5D23-680

SCC5D23-680

ნაწილი საფონდო: 6524

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA, მიმდინარე - სატურაცია: 410mA,

სასურველი
SC1608C-102

SC1608C-102

ნაწილი საფონდო: 6510

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA, მიმდინარე - სატურაცია: 45mA,

სასურველი
SCRH62B-6R3

SCRH62B-6R3

ნაწილი საფონდო: 6491

ინდუქცია: 6.3µH, ტოლერანტობა: -20%, +40%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.62A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
SCIHP1040-1R5M

SCIHP1040-1R5M

ნაწილი საფონდო: 6545

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 20A,

სასურველი
SC1608C-101

SC1608C-101

ნაწილი საფონდო: 6474

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA, მიმდინარე - სატურაცია: 130mA,

სასურველი
SCC5D23-220

SCC5D23-220

ნაწილი საფონდო: 9675

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 730mA,

სასურველი
SCC5D23-3R3

SCC5D23-3R3

ნაწილი საფონდო: 6476

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,

სასურველი
SCRH62B-150

SCRH62B-150

ნაწილი საფონდო: 6480

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.17A, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,

სასურველი
SCB63C-390

SCB63C-390

ნაწილი საფონდო: 6479

ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 330mA,

სასურველი
SC1608C-220

SC1608C-220

ნაწილი საფონდო: 6507

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.44A, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,

სასურველი
SCIHP1040-R56M

SCIHP1040-R56M

ნაწილი საფონდო: 6495

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 40A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,

სასურველი
SCC5D23-3R9

SCC5D23-3R9

ნაწილი საფონდო: 6494

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.42A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.84A,

სასურველი
SCC5D23-560

SCC5D23-560

ნაწილი საფონდო: 6522

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA, მიმდინარე - სატურაცია: 430mA,

სასურველი
SCB63C-101

SCB63C-101

ნაწილი საფონდო: 6527

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA, მიმდინარე - სატურაცია: 240mA,

სასურველი
SC1608C-680

SC1608C-680

ნაწილი საფონდო: 6501

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 170mA,

სასურველი
SCIHP1040-1R0M

SCIHP1040-1R0M

ნაწილი საფონდო: 6514

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 28A, მიმდინარე - სატურაცია: 28A,

სასურველი
SCC5D23-121

SCC5D23-121

ნაწილი საფონდო: 6506

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,

სასურველი
SCRH62B-100

SCRH62B-100

ნაწილი საფონდო: 6470

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.38A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
SCB63C-150

SCB63C-150

ნაწილი საფონდო: 6537

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.62A, მიმდინარე - სატურაცია: 590mA,

სასურველი
SCTH2010-2R7

SCTH2010-2R7

ნაწილი საფონდო: 6436

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA, მიმდინარე - სატურაცია: 720mA,

სასურველი
SCRH62B-2R9

SCRH62B-2R9

ნაწილი საფონდო: 9733

ინდუქცია: 2.9µH, ტოლერანტობა: -20%, +40%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.94A,

სასურველი
SC1608C-1R5

SC1608C-1R5

ნაწილი საფონდო: 6520

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.24A, მიმდინარე - სატურაცია: 930mA,

სასურველი
SCC5D23-390

SCC5D23-390

ნაწილი საფონდო: 6488

ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 540mA,

სასურველი
SC1608C-681

SC1608C-681

ნაწილი საფონდო: 6523

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA, მიმდინარე - სატურაცია: 55mA,

სასურველი
SCC5D23-120

SCC5D23-120

ნაწილი საფონდო: 6542

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,

სასურველი
SC1212-222

SC1212-222

ნაწილი საფონდო: 6452

ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA, მიმდინარე - სატურაცია: 20mA,

სასურველი