რეზისტორული ქსელები, მასივები

AF122-FR-0730K1L

AF122-FR-0730K1L

ნაწილი საფონდო: 195474

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30.1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07232KL

AF122-FR-07232KL

ნაწილი საფონდო: 102788

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 232k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07150KL

AF122-FR-07150KL

ნაწილი საფონდო: 164991

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0766K5L

AF122-FR-0766K5L

ნაწილი საფონდო: 175443

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 66.5k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0763R4L

AF122-FR-0763R4L

ნაწილი საფონდო: 106556

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 63.4, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07226RL

AF122-FR-07226RL

ნაწილი საფონდო: 111859

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 226, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07365RL

AF122-FR-07365RL

ნაწილი საფონდო: 110193

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 365, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0713K7L

AF122-FR-0713K7L

ნაწილი საფონდო: 158110

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13.7k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0768R1L

AF122-FR-0768R1L

ნაწილი საფონდო: 157836

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68.1, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0760R4L

AF122-FR-0760R4L

ნაწილი საფონდო: 151166

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 60.4, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0736R5L

AF122-FR-0736R5L

ნაწილი საფონდო: 168231

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36.5, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07360RL

AF122-FR-07360RL

ნაწილი საფონდო: 187640

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0743R2L

AF122-FR-0743R2L

ნაწილი საფონდო: 171566

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43.2, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-076K8L

AF122-FR-076K8L

ნაწილი საფონდო: 189993

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0776R8L

AF122-FR-0776R8L

ნაწილი საფონდო: 150618

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 76.8, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0762RL

AF122-FR-0762RL

ნაწილი საფონდო: 199061

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0716R2L

AF122-FR-0716R2L

ნაწილი საფონდო: 141681

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16.2, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-073K74L

AF122-FR-073K74L

ნაწილი საფონდო: 139442

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.74k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0722K1L

AF122-FR-0722K1L

ნაწილი საფონდო: 176050

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22.1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07953KL

AF122-FR-07953KL

ნაწილი საფონდო: 118690

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 953k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07280KL

AF122-FR-07280KL

ნაწილი საფონდო: 194681

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 280k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-079K31L

AF122-FR-079K31L

ნაწილი საფონდო: 149360

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.31k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07143RL

AF122-FR-07143RL

ნაწილი საფონდო: 186660

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 143, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-071K02L

AF122-FR-071K02L

ნაწილი საფონდო: 126501

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.02k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0712R1L

AF122-FR-0712R1L

ნაწილი საფონდო: 136288

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12.1, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07909KL

AF122-FR-07909KL

ნაწილი საფონდო: 139108

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 909k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0759KL

AF122-FR-0759KL

ნაწილი საფონდო: 131950

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 59k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07294KL

AF122-FR-07294KL

ნაწილი საფონდო: 148077

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 294k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-071K58L

AF122-FR-071K58L

ნაწილი საფონდო: 109627

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.58k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0737R4L

AF122-FR-0737R4L

ნაწილი საფონდო: 103019

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 37.4, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07160RL

AF122-FR-07160RL

ნაწილი საფონდო: 174759

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07430RL

AF122-FR-07430RL

ნაწილი საფონდო: 107796

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-0725K5L

AF122-FR-0725K5L

ნაწილი საფონდო: 116266

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 25.5k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07910KL

AF122-FR-07910KL

ნაწილი საფონდო: 117513

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07118KL

AF122-FR-07118KL

ნაწილი საფონდო: 197925

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 118k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
AF122-FR-07931RL

AF122-FR-07931RL

ნაწილი საფონდო: 181520

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 931, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი