ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.5A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.72A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.12A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA, მიმდინარე - სატურაცია: 220mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.9A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.7A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 72nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 24nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.7nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 91nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 43nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 610mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 36nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 200nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±2%,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 43nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 810mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 9nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 25nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 19nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 23nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
