ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Manganese Zinc Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 10.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Manganese Zinc Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A, მიმდინარე - სატურაცია: 16.3A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA, მიმდინარე - სატურაცია: 250mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, მიმდინარე - სატურაცია: 70mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, მიმდინარე - სატურაცია: 40mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA, მიმდინარე - სატურაცია: 50mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 10.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA, მიმდინარე - სატურაცია: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 325mA, მიმდინარე - სატურაცია: 260mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA, მიმდინარე - სატურაცია: 270mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
