რეზისტორული ქსელები, მასივები

Y0114V0407BA9L

Y0114V0407BA9L

ნაწილი საფონდო: 6229

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2, 1.998k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1365V0207QT0R

Y1365V0207QT0R

ნაწილი საფონდო: 3943

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1685V0005TA9R

Y1685V0005TA9R

ნაწილი საფონდო: 6148

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.4 ppm/°C,

სასურველი
Y0006V0005TT0L

Y0006V0005TT0L

ნაწილი საფონდო: 5305

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0114V0136VV9L

Y0114V0136VV9L

ნაწილი საფონდო: 5099

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0157QT0W

Y4485V0157QT0W

ნაწილი საფონდო: 6019

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 4k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0115V0549AA0L

Y0115V0549AA0L

ნაწილი საფონდო: 5080

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y5076V0268BQ9L

Y5076V0268BQ9L

ნაწილი საფონდო: 3582

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6.6k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y5076V0602AA9L

Y5076V0602AA9L

ნაწილი საფონდო: 3728

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6k, 15.2k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0006V0107TT0L

Y0006V0107TT0L

ნაწილი საფონდო: 4752

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
SLD1X10K00BQ

SLD1X10K00BQ

ნაწილი საფონდო: 163

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 1, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0001QT0R

Y4485V0001QT0R

ნაწილი საფონდო: 6080

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y4943V0136TT0L

Y4943V0136TT0L

ნაწილი საფონდო: 5458

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
Y0076V0295TT9L

Y0076V0295TT9L

ნაწილი საფონდო: 3838

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 8k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0201BA9W

Y1747V0201BA9W

ნაწილი საფონდო: 3985

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y1692V0593VV9L

Y1692V0593VV9L

ნაწილი საფონდო: 4449

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y5076V0056AA0L

Y5076V0056AA0L

ნაწილი საფონდო: 4119

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1365V0178QT0U

Y1365V0178QT0U

ნაწილი საფონდო: 3942

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1685V0005TA0R

Y1685V0005TA0R

ნაწილი საფონდო: 6078

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.4 ppm/°C,

სასურველი
Y4942V0136TT0L

Y4942V0136TT0L

ნაწილი საფონდო: 5389

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
Y5076V0169AA0L

Y5076V0169AA0L

ნაწილი საფონდო: 4089

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 13k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1691V0010BA0L

Y1691V0010BA0L

ნაწილი საფონდო: 3978

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y4944V0587BA9L

Y4944V0587BA9L

ნაწილი საფონდო: 3788

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5.7k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
Y1365V0019QT0W

Y1365V0019QT0W

ნაწილი საფონდო: 3880

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1691V0010BQ0L

Y1691V0010BQ0L

ნაწილი საფონდო: 3843

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1365V0008QT9W

Y1365V0008QT9W

ნაწილი საფონდო: 3945

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1365V0023QT9R

Y1365V0023QT9R

ნაწილი საფონდო: 3932

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 500, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0178QT0W

Y1747V0178QT0W

ნაწილი საფონდო: 3701

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0196QT9R

Y1747V0196QT9R

ნაწილი საფონდო: 3595

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 500, 2k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y1365V0191BA9W

Y1365V0191BA9W

ნაწილი საფონდო: 4975

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0008QQ9W

Y1747V0008QQ9W

ნაწილი საფონდო: 3914

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y1635V0008QQ9R

Y1635V0008QQ9R

ნაწილი საფონდო: 4314

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y5076V0001BB9L

Y5076V0001BB9L

ნაწილი საფონდო: 4671

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0019BT0W

Y1747V0019BT0W

ნაწილი საფონდო: 4471

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y1365V0023BA9R

Y1365V0023BA9R

ნაწილი საფონდო: 5253

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 500, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
MU100R0/100R0BA

MU100R0/100R0BA

ნაწილი საფონდო: 118

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 100, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი