სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 25k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 8.323k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 600, 38.4k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 16k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 9.31k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.9193k, 2.0877k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 200, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 12.3k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6k, 14k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 4k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 5k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 7.812k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8936k, 2.1191k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.111111k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 15k, 25k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6k, 14k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.005%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 18, 252, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
