ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y162770K0000B9R

Y162770K0000B9R

ნაწილი საფონდო: 6562

წინააღმდეგობა: 70 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4021100R000A6R

Y4021100R000A6R

ნაწილი საფონდო: 6881

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174614K0000E5L

Y174614K0000E5L

ნაწილი საფონდო: 6897

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162875K0000A9W

Y162875K0000A9W

ნაწილი საფონდო: 6478

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174610R0000E4R

Y174610R0000E4R

ნაწილი საფონდო: 6877

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40238K25000T6W

Y40238K25000T6W

ნაწილი საფონდო: 6899

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y402210R000D6R

Y402210R000D6R

ნაწილი საფონდო: 6870

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174690R0000A5R

Y174690R0000A5R

ნაწილი საფონდო: 6898

წინააღმდეგობა: 90 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40211K90000Q5R

Y40211K90000Q5R

ნაწილი საფონდო: 6887

წინააღმდეგობა: 1.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162614K2000A15R

Y162614K2000A15R

ნაწილი საფონდო: 6655

წინააღმდეგობა: 14.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y17454K80000Q2R

Y17454K80000Q2R

ნაწილი საფონდო: 6816

წინააღმდეგობა: 4.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
MQ60K00

MQ60K00

ნაწილი საფონდო: 198

წინააღმდეგობა: 60 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
Y40652K79923Q0W

Y40652K79923Q0W

ნაწილი საფონდო: 6536

წინააღმდეგობა: 2.79923 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.8W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y16279K31000B13R

Y16279K31000B13R

ნაწილი საფონდო: 6681

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174610R0000D4R

Y174610R0000D4R

ნაწილი საფონდო: 6841

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16255K49000A24R

Y16255K49000A24R

ნაწილი საფონდო: 2725

წინააღმდეგობა: 5.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1628125K000T0W

Y1628125K000T0W

ნაწილი საფონდო: 6483

წინააღმდეგობა: 125 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162711K0000B13R

Y162711K0000B13R

ნაწილი საფონდო: 6614

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16262K49000Q13W

Y16262K49000Q13W

ნაწილი საფონდო: 6654

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174614K0000E4L

Y174614K0000E4L

ნაწილი საფონდო: 2747

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162713K3000B13R

Y162713K3000B13R

ნაწილი საფონდო: 6637

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162727K1000B13R

Y162727K1000B13R

ნაწილი საფონდო: 6669

წინააღმდეგობა: 27.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162847K5000T16R

Y162847K5000T16R

ნაწილი საფონდო: 6763

წინააღმდეგობა: 47.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16278K66000B13R

Y16278K66000B13R

ნაწილი საფონდო: 6721

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162843K2000B16R

Y162843K2000B16R

ნაწილი საფონდო: 6762

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174610R0000E4L

Y174610R0000E4L

ნაწილი საფონდო: 2698

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162730K2000Q13R

Y162730K2000Q13R

ნაწილი საფონდო: 6661

წინააღმდეგობა: 30.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1626249R000A13W

Y1626249R000A13W

ნაწილი საფონდო: 6591

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162841K7000A15R

Y162841K7000A15R

ნაწილი საფონდო: 6765

წინააღმდეგობა: 41.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16261K00000T13R

Y16261K00000T13R

ნაწილი საფონდო: 2660

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4021100R000A6W

Y4021100R000A6W

ნაწილი საფონდო: 6886

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y17459K53000Q3L

Y17459K53000Q3L

ნაწილი საფონდო: 6850

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
RBFJR0300F

RBFJR0300F

ნაწილი საფონდო: 104

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
Y17458K88900Q2R

Y17458K88900Q2R

ნაწილი საფონდო: 6834

წინააღმდეგობა: 8.889 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16255K00000T23W

Y16255K00000T23W

ნაწილი საფონდო: 6509

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
RBFJR0100FL

RBFJR0100FL

ნაწილი საფონდო: 117

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი