შასის მთის წინააღმდეგობები

RER75F1242RC02

RER75F1242RC02

ნაწილი საფონდო: 1906

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F2001RCSL

RER75F2001RCSL

ნაწილი საფონდო: 1696

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F35R7RC02

RER50F35R7RC02

ნაწილი საფონდო: 1835

წინააღმდეგობა: 35.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F6R81RC02

RER50F6R81RC02

ნაწილი საფონდო: 1830

წინააღმდეგობა: 6.81 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER70F10R1RCSL

RER70F10R1RCSL

ნაწილი საფონდო: 1705

წინააღმდეგობა: 10.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F2R21MC02

RER50F2R21MC02

ნაწილი საფონდო: 1834

წინააღმდეგობა: 2.21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER70F69R8RCSL

RER70F69R8RCSL

ნაწილი საფონდო: 1785

წინააღმდეგობა: 69.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F24R3RC02

RER50F24R3RC02

ნაწილი საფონდო: 1896

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F4R75RCSL

RER75F4R75RCSL

ნაწილი საფონდო: 1706

წინააღმდეგობა: 4.75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F25R5RCSL

RER75F25R5RCSL

ნაწილი საფონდო: 1735

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F15R0RCSL

RER75F15R0RCSL

ნაწილი საფონდო: 1692

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F1000MC02

RER50F1000MC02

ნაწილი საფონდო: 1865

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER70FR243MC02

RER70FR243MC02

ნაწილი საფონდო: 2046

წინააღმდეგობა: 243 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER70F5491RCSL

RER70F5491RCSL

ნაწილი საფონდო: 1770

წინააღმდეგობა: 5.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F5111RC02

RER50F5111RC02

ნაწილი საფონდო: 1894

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F1050RC02

RER50F1050RC02

ნაწილი საფონდო: 1858

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER70F3R48RCSL

RER70F3R48RCSL

ნაწილი საფონდო: 1702

წინააღმდეგობა: 3.48 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F7R50MCSL

RER75F7R50MCSL

ნაწილი საფონდო: 1691

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F8R45RCSL

RER75F8R45RCSL

ნაწილი საფონდო: 1701

წინააღმდეგობა: 8.45 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F2740RC02

RER50F2740RC02

ნაწილი საფონდო: 1911

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F2R05MCSL

RER75F2R05MCSL

ნაწილი საფონდო: 1716

წინააღმდეგობა: 2.05 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER70F2R15MCSL

RER70F2R15MCSL

ნაწილი საფონდო: 1771

წინააღმდეგობა: 2.15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER70F8R25RC02

RER70F8R25RC02

ნაწილი საფონდო: 2101

წინააღმდეგობა: 8.25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F2R05RC02

RER50F2R05RC02

ნაწილი საფონდო: 1836

წინააღმდეგობა: 2.05 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F3651RC02

RER50F3651RC02

ნაწილი საფონდო: 1880

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F20R0RC02

RER50F20R0RC02

ნაწილი საფონდო: 1860

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F3902RC02

RER75F3902RC02

ნაწილი საფონდო: 1900

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F68R1RC02

RER50F68R1RC02

ნაწილი საფონდო: 1857

წინააღმდეგობა: 68.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F30R1PC02

RER50F30R1PC02

ნაწილი საფონდო: 1837

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F1742PC02

RER75F1742PC02

ნაწილი საფონდო: 1918

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F3R74RCSL

RER75F3R74RCSL

ნაწილი საფონდო: 1693

წინააღმდეგობა: 3.74 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F24R9PCSL

RER75F24R9PCSL

ნაწილი საფონდო: 1759

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F5R36RCSL

RER75F5R36RCSL

ნაწილი საფონდო: 1746

წინააღმდეგობა: 5.36 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER75F3832RC02

RER75F3832RC02

ნაწილი საფონდო: 1908

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F64R9RC02

RER50F64R9RC02

ნაწილი საფონდო: 1891

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER50F60R4MC02

RER50F60R4MC02

ნაწილი საფონდო: 1841

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი