ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TNPW2512604RBETG

TNPW2512604RBETG

ნაწილი საფონდო: 6510

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010909KBETF

TNPW2010909KBETF

ნაწილი საფონდო: 6354

წინააღმდეგობა: 909 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010910KBETF

TNPW2010910KBETF

ნაწილი საფონდო: 6312

წინააღმდეგობა: 910 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010150KBETF

TNPW2010150KBETF

ნაწილი საფონდო: 6239

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010220KBETF

TNPW2010220KBETF

ნაწილი საფონდო: 6255

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010360KBETF

TNPW2010360KBETF

ნაწილი საფონდო: 6256

წინააღმდეგობა: 360 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B10E0RTP

D55342E07B10E0RTP

ნაწილი საფონდო: 8885

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201062K0BETF

TNPW201062K0BETF

ნაწილი საფონდო: 6117

წინააღმდეგობა: 62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010750KBETF

TNPW2010750KBETF

ნაწილი საფონდო: 6361

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010649KBETF

TNPW2010649KBETF

ნაწილი საფონდო: 6363

წინააღმდეგობა: 649 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010976KBETF

TNPW2010976KBETF

ნაწილი საფონდო: 6363

წინააღმდეგობა: 976 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20103K30BETF

TNPW20103K30BETF

ნაწილი საფონდო: 5896

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512274RBETG

TNPW2512274RBETG

ნაწილი საფონდო: 6495

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512866RBETG

TNPW2512866RBETG

ნაწილი საფონდო: 6582

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20104K64BETF

TNPW20104K64BETF

ნაწილი საფონდო: 5957

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20109K10BETF

TNPW20109K10BETF

ნაწილი საფონდო: 5981

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010787KBETF

TNPW2010787KBETF

ნაწილი საფონდო: 6333

წინააღმდეგობა: 787 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010187KBETF

TNPW2010187KBETF

ნაწილი საფონდო: 6205

წინააღმდეგობა: 187 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512160RBETG

TNPW2512160RBETG

ნაწილი საფონდო: 6402

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010499KBETF

TNPW2010499KBETF

ნაწილი საფონდო: 6266

წინააღმდეგობა: 499 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512237RBETG

TNPW2512237RBETG

ნაწილი საფონდო: 6450

წინააღმდეგობა: 237 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20106K80BETF

TNPW20106K80BETF

ნაწილი საფონდო: 5938

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201064K9BETF

TNPW201064K9BETF

ნაწილი საფონდო: 6185

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201042K2BETF

TNPW201042K2BETF

ნაწილი საფონდო: 6095

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512348RBETG

TNPW2512348RBETG

ნაწილი საფონდო: 1656

წინააღმდეგობა: 348 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201043K0BETF

TNPW201043K0BETF

ნაწილი საფონდო: 6050

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512887RBETG

TNPW2512887RBETG

ნაწილი საფონდო: 6593

წინააღმდეგობა: 887 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010191KBETF

TNPW2010191KBETF

ნაწილი საფონდო: 6174

წინააღმდეგობა: 191 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512619RBETG

TNPW2512619RBETG

ნაწილი საფონდო: 6577

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20108K66BETF

TNPW20108K66BETF

ნაწილი საფონდო: 1676

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201016K9BETF

TNPW201016K9BETF

ნაწილი საფონდო: 5989

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20103K83BETF

TNPW20103K83BETF

ნაწილი საფონდო: 5845

წინააღმდეგობა: 3.83 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201048K7BETF

TNPW201048K7BETF

ნაწილი საფონდო: 6065

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010383KBETF

TNPW2010383KBETF

ნაწილი საფონდო: 6237

წინააღმდეგობა: 383 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251293R1BETG

TNPW251293R1BETG

ნაწილი საფონდო: 6403

წინააღმდეგობა: 93.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20104K12BETF

TNPW20104K12BETF

ნაწილი საფონდო: 5841

წინააღმდეგობა: 4.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი