ნაწილი საფონდო: 1219
FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 5V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 0.45 mOhm @ 60A, 4.5V,
