კრისტალები

8Z26000024

8Z26000024

ნაწილი საფონდო: 112293

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Q-48.000MAAV-T

8Q-48.000MAAV-T

ნაწილი საფონდო: 112314

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
8Y-24.000MEEE-T

8Y-24.000MEEE-T

ნაწილი საფონდო: 175

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Y24070007

8Y24070007

ნაწილი საფონდო: 112264

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±17ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z20070005

8Z20070005

ნაწილი საფონდო: 112313

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±7ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z-12.000MAAV-T

8Z-12.000MAAV-T

ნაწილი საფონდო: 112268

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
8Y-38.4000MAHQ-T

8Y-38.4000MAHQ-T

ნაწილი საფონდო: 112295

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
8Z40000017

8Z40000017

ნაწილი საფონდო: 112323

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±5ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Y32000004

8Y32000004

ნაწილი საფონდო: 112259

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
8Z30070003

8Z30070003

ნაწილი საფონდო: 112260

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Z26000025

8Z26000025

ნაწილი საფონდო: 112271

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Q-19.200MAAV-T

8Q-19.200MAAV-T

ნაწილი საფონდო: 122

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF,

სასურველი
8Z40090009

8Z40090009

ნაწილი საფონდო: 112290

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±9ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Z40000046

8Z40000046

ნაწილი საფონდო: 112304

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±7ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Z-31.250MAAJ-T

8Z-31.250MAAJ-T

ნაწილი საფონდო: 180

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Y26000005

8Y26000005

ნაწილი საფონდო: 112278

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z26000022

8Z26000022

ნაწილი საფონდო: 112264

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z40090006

8Z40090006

ნაწილი საფონდო: 112266

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Y37470007

8Y37470007

ნაწილი საფონდო: 112290

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
8Q-25.000MAAV-T

8Q-25.000MAAV-T

ნაწილი საფონდო: 131

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z40070007

8Z40070007

ნაწილი საფონდო: 112291

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±7ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Q-52.000MAAV-T

8Q-52.000MAAV-T

ნაწილი საფონდო: 112240

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
8Z-60.000MAAJ-T

8Z-60.000MAAJ-T

ნაწილი საფონდო: 215

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 60MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Z24070002

8Z24070002

ნაწილი საფონდო: 112276

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z16000002

8Z16000002

ნაწილი საფონდო: 112226

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Y16077001

8Y16077001

ნაწილი საფონდო: 112243

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
8Y-16.000MEEC-T

8Y-16.000MEEC-T

ნაწილი საფონდო: 141

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
8Y16070006

8Y16070006

ნაწილი საფონდო: 112235

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
8Z-40.000MAAV-T

8Z-40.000MAAV-T

ნაწილი საფონდო: 112233

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Z26000028

8Z26000028

ნაწილი საფონდო: 112302

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z40090010

8Z40090010

ნაწილი საფონდო: 112292

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±9ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Y26070014

8Y26070014

ნაწილი საფონდო: 112234

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z38400027

8Z38400027

ნაწილი საფონდო: 112234

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
8Z20070003

8Z20070003

ნაწილი საფონდო: 112268

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z26000026

8Z26000026

ნაწილი საფონდო: 112312

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
8Z26000048

8Z26000048

ნაწილი საფონდო: 112260

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი