ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

OP233

OP233

ნაწილი საფონდო: 25418

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP169B

OP169B

ნაწილი საფონდო: 72957

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.11mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP234

OP234

ნაწილი საფონდო: 21980

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი
OP240A

OP240A

ნაწილი საფონდო: 111007

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 40°,

სასურველი
OP165W

OP165W

ნაწილი საფონდო: 82356

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.5mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 90°,

სასურველი
OP268FC

OP268FC

ნაწილი საფონდო: 91540

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.36mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 104°,

სასურველი
OP169C

OP169C

ნაწილი საფონდო: 72955

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.03mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP240C

OP240C

ნაწილი საფონდო: 129791

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 40°,

სასურველი
OP297FAB

OP297FAB

ნაწილი საფონდო: 69084

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2.4mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.75V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
OP166B

OP166B

ნაწილი საფონდო: 75580

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.4mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP297B

OP297B

ნაწილი საფონდო: 121258

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.75V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
OP292A

OP292A

ნაწილი საფონდო: 104438

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.75V, Ხედვის კუთხე: 50°,

სასურველი
OP235W

OP235W

ნაწილი საფონდო: 16036

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 50°,

სასურველი
OP223

OP223

ნაწილი საფონდო: 26982

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
OP290C

OP290C

ნაწილი საფონდო: 104420

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 4V, Ხედვის კუთხე: 50°,

სასურველი
OP298AD

OP298AD

ნაწილი საფონდო: 93961

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 200mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 8.5mW/cm² @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 25°,

სასურველი
OP266D

OP266D

ნაწილი საფონდო: 81419

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP299

OP299

ნაწილი საფონდო: 133157

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
OP236TXV

OP236TXV

ნაწილი საფონდო: 2270

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.55V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP294

OP294

ნაწილი საფონდო: 112676

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 50°,

სასურველი
OP293B

OP293B

ნაწილი საფონდო: 112695

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი
OP223TX

OP223TX

ნაწილი საფონდო: 4101

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
OP297C

OP297C

ნაწილი საფონდო: 1193

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.75V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
OP123

OP123

ნაწილი საფონდო: 28153

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.4mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
OP216A

OP216A

ნაწილი საფონდო: 19287

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.2mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
OP265FAC

OP265FAC

ნაწილი საფონდო: 97726

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 11.5mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP140D

OP140D

ნაწილი საფონდო: 114474

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.1mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 40°,

სასურველი
OP298C

OP298C

ნაწილი საფონდო: 114427

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 25°,

სასურველი
OP266B

OP266B

ნაწილი საფონდო: 73281

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP266AD

OP266AD

ნაწილი საფონდო: 81898

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 15.5mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP224

OP224

ნაწილი საფონდო: 30470

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 3.5mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
OP266AB

OP266AB

ნაწილი საფონდო: 81895

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 7.5mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
OP268FA

OP268FA

ნაწილი საფონდო: 81429

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.64mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 104°,

სასურველი
OP291C

OP291C

ნაწილი საფონდო: 104386

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 50°,

სასურველი
OP224TX

OP224TX

ნაწილი საფონდო: 4318

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
OP168FA

OP168FA

ნაწილი საფონდო: 77955

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.48mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 104°,

სასურველი