Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

მეხსიერება

TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG2S0HBAI4

ნაწილი საფონდო: 1439

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG1S3HRAIG

ნაწილი საფონდო: 1919

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz,

სასურველი
TC58NVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTAI0

ნაწილი საფონდო: 8902

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI4

ნაწილი საფონდო: 1435

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI4

ნაწილი საფონდო: 1393

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTAI0

ნაწილი საფონდო: 16444

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58NVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTA00

ნაწილი საფონდო: 566

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6

ნაწილი საფონდო: 17237

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG2S3HTA00

ნაწილი საფონდო: 14392

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HBAI4

ნაწილი საფონდო: 1415

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI6

ნაწილი საფონდო: 17248

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58CVG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG2S0HRAIG

ნაწილი საფონდო: 7253

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz,

სასურველი
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI4

ნაწილი საფონდო: 1370

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HRAIG

ნაწილი საფონდო: 3118

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz,

სასურველი
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI4

ნაწილი საფონდო: 8884

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HTA00

ნაწილი საფონდო: 14305

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTA00

ნაწილი საფონდო: 17220

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TH58NVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG2S3HTAI0

ნაწილი საფონდო: 7000

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI6

ნაწილი საფონდო: 14306

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HTAI0

ნაწილი საფონდო: 14321

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG2S0HBAI6

ნაწილი საფონდო: 17235

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58NVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HTA00

ნაწილი საფონდო: 1523

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI4

ნაწილი საფონდო: 1411

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI4

ნაწილი საფონდო: 24524

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTA00

ნაწილი საფონდო: 669

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58NVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HTAI0

ნაწილი საფონდო: 577

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

ნაწილი საფონდო: 25500

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI6

ნაწილი საფონდო: 25447

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI6

ნაწილი საფონდო: 2239

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI6

ნაწილი საფონდო: 25501

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTAI0

ნაწილი საფონდო: 24548

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58CVG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG0S3HRAIG

ნაწილი საფონდო: 1485

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz,

სასურველი
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTAI0

ნაწილი საფონდო: 2401

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI6

ნაწილი საფონდო: 33228

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTAI0

ნაწილი საფონდო: 31571

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

ნაწილი საფონდო: 33224

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND (SLC), მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი