დიოდები - ზენერი - სინგლი

1SMA200Z M2G

1SMA200Z M2G

ნაწილი საფონდო: 148

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 200V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1.25W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 1500 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 152V,

სასურველი
1SMA5949 R3G

1SMA5949 R3G

ნაწილი საფონდო: 142

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 100V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1.5W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 250 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 76V,

სასურველი
1N5223B A0G

1N5223B A0G

ნაწილი საფონდო: 124

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 75µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 200mA,

სასურველი
1SMB5939HR5G

1SMB5939HR5G

ნაწილი საფონდო: 194

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 3W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 29.7V,

სასურველი
1SMA4759 R3G

1SMA4759 R3G

ნაწილი საფონდო: 196

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 62V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1.25W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 125 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 47.1V,

სასურველი
1SMA4754 R3G

1SMA4754 R3G

ნაწილი საფონდო: 151

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1.25W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 29.7V,

სასურველი
1N4757G A0G

1N4757G A0G

ნაწილი საფონდო: 192

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 51V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 38.8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
1N4733G A0G

1N4733G A0G

ნაწილი საფონდო: 163

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 7 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
1SMA4741HR3G

1SMA4741HR3G

ნაწილი საფონდო: 123

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1.25W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 8 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 8.4V,

სასურველი
1N4739G A0G

1N4739G A0G

ნაწილი საფონდო: 195

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 5 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
1SMB5953 R5G

1SMB5953 R5G

ნაწილი საფონდო: 131

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 150V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 3W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 600 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 114V,

სასურველი
1N4753G B0G

1N4753G B0G

ნაწილი საფონდო: 106

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 50 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 27.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
1SMA180Z R3G

1SMA180Z R3G

ნაწილი საფონდო: 127

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 180V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1.25W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 1200 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 136.8V,

სასურველი
1N4745AHB0G

1N4745AHB0G

ნაწილი საფონდო: 165

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 22 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 12.2V,

სასურველი
1N4748AHA0G

1N4748AHA0G

ნაწილი საფონდო: 192

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 23 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 16.7V,

სასურველი
1M150Z A0G

1M150Z A0G

ნაწილი საფონდო: 164

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 150V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 1000 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 114V,

სასურველი
1M180ZHB0G

1M180ZHB0G

ნაწილი საფონდო: 121

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 180V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 1200 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 136.8V,

სასურველი
1N4740A A0G

1N4740A A0G

ნაწილი საფონდო: 186

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 7 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 7.6V,

სასურველი
1N4763A R1G

1N4763A R1G

ნაწილი საფონდო: 214

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 91V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 250 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 69.2V,

სასურველი
1M160Z B0G

1M160Z B0G

ნაწილი საფონდო: 206

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 160V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 1100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 121.6V,

სასურველი
1N4743AHA0G

1N4743AHA0G

ნაწილი საფონდო: 119

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 35.8V,

სასურველი
1N4750AHB0G

1N4750AHB0G

ნაწილი საფონდო: 187

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 35 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 20.6V,

სასურველი
1N4754AHR1G

1N4754AHR1G

ნაწილი საფონდო: 200

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 29.7V,

სასურველი
1N4748AHB0G

1N4748AHB0G

ნაწილი საფონდო: 200

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 23 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 16.7V,

სასურველი
1N4750AHR1G

1N4750AHR1G

ნაწილი საფონდო: 182

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 35 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 20.6V,

სასურველი
1M160ZHR1G

1M160ZHR1G

ნაწილი საფონდო: 205

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 160V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 1100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 121.6V,

სასურველი
1N4756AHR1G

1N4756AHR1G

ნაწილი საფონდო: 210

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 47V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 35.8V,

სასურველი
1N4762AHB0G

1N4762AHB0G

ნაწილი საფონდო: 138

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 82V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 200 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 62.2V,

სასურველი
1N4745AHR1G

1N4745AHR1G

ნაწილი საფონდო: 137

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 23 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 12.2V,

სასურველი
1M160Z A0G

1M160Z A0G

ნაწილი საფონდო: 123

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 160V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 1100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 121.6V,

სასურველი
1M200ZHA0G

1M200ZHA0G

ნაწილი საფონდო: 123

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 200V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 1500 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 152V,

სასურველი
1N4742AHB0G

1N4742AHB0G

ნაწილი საფონდო: 196

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 12V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 22.8V,

სასურველი
1N4759AHA0G

1N4759AHA0G

ნაწილი საფონდო: 143

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 62V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 125 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 47.1V,

სასურველი
1N4757A R1G

1N4757A R1G

ნაწილი საფონდო: 141

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 51V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 38.8V,

სასურველი
1N4747A A0G

1N4747A A0G

ნაწილი საფონდო: 163

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 15.2V,

სასურველი
1M120Z R1G

1M120Z R1G

ნაწილი საფონდო: 134

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 120V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 550 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 91.2V,

სასურველი