Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2004PT C0G

ნაწილი საფონდო: 88

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 930mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PT C0G

ნაწილი საფონდო: 141

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRS1060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CT MNG

ნაწილი საფონდო: 127

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GP1607HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1607HC0G

ნაწილი საფონდო: 173

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SRS10100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10100HMNG

ნაწილი საფონდო: 76

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HER1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1002G C0G

ნაწილი საფონდო: 167

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR1560CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CT C0G

ნაწილი საფონდო: 99

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRS2050CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2050CT MNG

ნაწილი საფონდო: 113

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF2590CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2590CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 145

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HER3005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER3005PT C0G

ნაწილი საფონდო: 83

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SR3060PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PTHC0G

ნაწილი საფონდო: 130

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SR1690PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1690PTHC0G

ნაწილი საფონდო: 131

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SRF2060HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2060HC0G

ნაწილი საფონდო: 93

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRS6040CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS6040CTHMNG

ნაწილი საფონდო: 162

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF1590CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1590CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 112

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRS15150CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15150CT-Y MNG

ნაწილი საფონდო: 141

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRS2090CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2090CT MNG

ნაწილი საფონდო: 176

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3060PT C0G

ნაწილი საფონდო: 164

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30100PT C0G

ნაწილი საფონდო: 111

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 163

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SR1620PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620PT C0G

ნაწილი საფონდო: 169

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SRF1020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1020 C0G

ნაწილი საფონდო: 97

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRS1590CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1590CTHMNG

ნაწილი საფონდო: 163

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SR1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640 C0G

ნაწილი საფონდო: 143

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRS10150CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10150CTHMNG

ნაწილი საფონდო: 156

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF1590CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1590CT C0G

ნაწილი საფონდო: 127

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HERF1008GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1008GA C0G

ნაწილი საფონდო: 143

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MUR1660CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1660CT C0G

ნაწილი საფონდო: 81

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25150CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 116

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.02V @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SRF20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20100 C0G

ნაწილი საფონდო: 146

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HERF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1608G C0G

ნაწილი საფონდო: 150

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRS2060CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CTHMNG

ნაწილი საფონდო: 137

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2035PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035PTHC0G

ნაწილი საფონდო: 109

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GP1605HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1605HC0G

ნაწილი საფონდო: 150

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF3050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 74

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HER1601PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1601PT C0G

ნაწილი საფონდო: 135

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი