ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

WW1JT4R70

WW1JT4R70

ნაწილი საფონდო: 161424

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WWF2AJT200R

WWF2AJT200R

ნაწილი საფონდო: 184244

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Fusible, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT2R70

WW1JT2R70

ნაწილი საფონდო: 153182

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT13R0

WW1JT13R0

ნაწილი საფონდო: 171332

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JT1K20

WW3JT1K20

ნაწილი საფონდო: 120834

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT4R30

WW1JT4R30

ნაწილი საფონდო: 151404

წინააღმდეგობა: 4.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT560R

WW1JT560R

ნაწილი საფონდო: 104528

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JT1K30

WW3JT1K30

ნაწილი საფონდო: 149489

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JT3R30

WW3JT3R30

ნაწილი საფონდო: 136092

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WWF2AJT8R20

WWF2AJT8R20

ნაწილი საფონდო: 127033

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Fusible, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT8R20

WW1JT8R20

ნაწილი საფონდო: 175992

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW3JT6R00

WW3JT6R00

ნაწილი საფონდო: 126189

წინააღმდეგობა: 6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WWF2AJT150R

WWF2AJT150R

ნაწილი საფონდო: 170854

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Fusible, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT82R0

WW1JT82R0

ნაწილი საფონდო: 156807

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT91R0

WW1JT91R0

ნაწილი საფონდო: 182048

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JT330R

WW3JT330R

ნაწილი საფონდო: 180136

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JT390R

WW3JT390R

ნაწილი საფონდო: 180290

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT39R0

WW1JT39R0

ნაწილი საფონდო: 179948

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT3R60

WW1JT3R60

ნაწილი საფონდო: 176940

წინააღმდეგობა: 3.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT1R60

WW1JT1R60

ნაწილი საფონდო: 198607

წინააღმდეგობა: 1.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT2R20

WW1JT2R20

ნაწილი საფონდო: 170507

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT9R10

WW1JT9R10

ნაწილი საფონდო: 137638

წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT15R0

WW1JT15R0

ნაწილი საფონდო: 140116

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT2R40

WW1JT2R40

ნაწილი საფონდო: 162148

წინააღმდეგობა: 2.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT75R0

WW1JT75R0

ნაწილი საფონდო: 128401

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JT24R0

WW3JT24R0

ნაწილი საფონდო: 138718

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JT1K50

WW3JT1K50

ნაწილი საფონდო: 179987

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT56R0

WW1JT56R0

ნაწილი საფონდო: 143700

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT1R20

WW1JT1R20

ნაწილი საფონდო: 118445

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT12R0

WW1JT12R0

ნაწილი საფონდო: 107422

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT11R0

WW1JT11R0

ნაწილი საფონდო: 193166

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JT820R

WW3JT820R

ნაწილი საფონდო: 179919

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JT10R0

WW3JT10R0

ნაწილი საფონდო: 103537

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT200R

WW1JT200R

ნაწილი საფონდო: 157378

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW2AJT8R20

WW2AJT8R20

ნაწილი საფონდო: 130211

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JT100R

WW1JT100R

ნაწილი საფონდო: 149394

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი