ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

BR3JB20L0

BR3JB20L0

ნაწილი საფონდო: 123551

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR3JB50L0

BR3JB50L0

ნაწილი საფონდო: 141843

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR3JBR100

BR3JBR100

ნაწილი საფონდო: 112097

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR3JB10L0

BR3JB10L0

ნაწილი საფონდო: 149679

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR3JB15L0

BR3JB15L0

ნაწილი საფონდო: 138200

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR3JB25L0

BR3JB25L0

ნაწილი საფონდო: 166009

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR1JB5L00

BR1JB5L00

ნაწილი საფონდო: 147361

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR1JB15L0

BR1JB15L0

ნაწილი საფონდო: 176422

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR1JB20L0

BR1JB20L0

ნაწილი საფონდო: 143083

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR1JBR100

BR1JBR100

ნაწილი საფონდო: 196496

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR1JB25L0

BR1JB25L0

ნაწილი საფონდო: 126716

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR1JB10L0

BR1JB10L0

ნაწილი საფონდო: 170108

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
BR1JB50L0

BR1JB50L0

ნაწილი საფონდო: 151779

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
HVAM100FBC1G00

HVAM100FBC1G00

ნაწილი საფონდო: 233

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM100FBC100M

HVAM100FBC100M

ნაწილი საფონდო: 344

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM100FBC10G0

HVAM100FBC10G0

ნაწილი საფონდო: 268

წინააღმდეგობა: 10 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM20FBC100M

HVAM20FBC100M

ნაწილი საფონდო: 282

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM75FBC100M

HVAM75FBC100M

ნაწილი საფონდო: 339

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 7.5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM36FBC1G00

HVAM36FBC1G00

ნაწილი საფონდო: 339

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3.6W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM20FBC1G00

HVAM20FBC1G00

ნაწილი საფონდო: 301

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM75FBC500M

HVAM75FBC500M

ნაწილი საფონდო: 269

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 7.5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM50FBC1G00

HVAM50FBC1G00

ნაწილი საფონდო: 371

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM75FBC1G00

HVAM75FBC1G00

ნაწილი საფონდო: 370

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 7.5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM50FBC100M

HVAM50FBC100M

ნაწილი საფონდო: 311

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM50FBC10M0

HVAM50FBC10M0

ნაწილი საფონდო: 193

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM36FBC100M

HVAM36FBC100M

ნაწილი საფონდო: 193

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3.6W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM36FBC10M0

HVAM36FBC10M0

ნაწილი საფონდო: 347

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3.6W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVAM20FBC10M0

HVAM20FBC10M0

ნაწილი საფონდო: 360

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WRF1JB390R

WRF1JB390R

ნაწილი საფონდო: 1905

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -80/ +900ppm/°C,

სასურველი
RC14JB750K

RC14JB750K

ნაწილი საფონდო: 104989

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding,

სასურველი
PCB20JB10R0

PCB20JB10R0

ნაწილი საფონდო: 1954

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±800ppm/°C,

სასურველი
RC12JT9M10

RC12JT9M10

ნაწილი საფონდო: 151531

წინააღმდეგობა: 9.1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding,

სასურველი
RC12JT1M60

RC12JT1M60

ნაწილი საფონდო: 166336

წინააღმდეგობა: 1.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding,

სასურველი
RC12JT2M40

RC12JT2M40

ნაწილი საფონდო: 159013

წინააღმდეგობა: 2.4 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding,

სასურველი
WRF2JT1R00

WRF2JT1R00

ნაწილი საფონდო: 5207

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -80/ +900ppm/°C,

სასურველი
RC12JT2M70

RC12JT2M70

ნაწილი საფონდო: 5280

წინააღმდეგობა: 2.7 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding,

სასურველი