ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RNCF0805BTY8K98

RNCF0805BTY8K98

ნაწილი საფონდო: 151288

წინააღმდეგობა: 8.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MLF14BTE10K0

MLF14BTE10K0

ნაწილი საფონდო: 172564

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0402AKE2K00

RNCF0402AKE2K00

ნაწილი საფონდო: 179580

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805BTY30R0

RNCF0805BTY30R0

ნაწილი საფონდო: 182393

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MLF14BTE30K1

MLF14BTE30K1

ნაწილი საფონდო: 103907

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805DTY100R

RNCF0805DTY100R

ნაწილი საფონდო: 162389

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805DKY40K2

RNCF0805DKY40K2

ნაწილი საფონდო: 108142

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MLF14BTE1K00

MLF14BTE1K00

ნაწილი საფონდო: 165227

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805BTY20K0

RNCF0805BTY20K0

ნაწილი საფონდო: 153144

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512DTT499K

RNCF2512DTT499K

ნაწილი საფონდო: 155781

წინააღმდეგობა: 499 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805BTY4K00

RNCF0805BTY4K00

ნაწილი საფონდო: 118436

წინააღმდეგობა: 4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MLF14BTE470R

MLF14BTE470R

ნაწილი საფონდო: 157962

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805BTY10K0

RNCF0805BTY10K0

ნაწილი საფონდო: 179511

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805BTY100R

RNCF0805BTY100R

ნაწილი საფონდო: 168742

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805BTY10K5

RNCF0805BTY10K5

ნაწილი საფონდო: 196609

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MLF14BTE12R1

MLF14BTE12R1

ნაწილი საფონდო: 165861

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT649R

RHC2512FT649R

ნაწილი საფონდო: 116011

წინააღმდეგობა: 649 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT13R0

RHC2512FT13R0

ნაწილი საფონდო: 131477

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT8K25

RHC2512FT8K25

ნაწილი საფონდო: 114613

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT15R0

RHC2512FT15R0

ნაწილი საფონდო: 198848

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT56R2

RHC2512FT56R2

ნაწილი საფონდო: 194254

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT2K00

RHC2512FT2K00

ნაწილი საფონდო: 106673

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT28R7

RHC2512FT28R7

ნაწილი საფონდო: 144779

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT619R

RHC2512FT619R

ნაწილი საფონდო: 107659

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT45R3

RHC2512FT45R3

ნაწილი საფონდო: 144329

წინააღმდეგობა: 45.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT25R5

RHC2512FT25R5

ნაწილი საფონდო: 171626

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT140R

RHC2512FT140R

ნაწილი საფონდო: 128325

წინააღმდეგობა: 140 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT422R

RHC2512FT422R

ნაწილი საფონდო: 194055

წინააღმდეგობა: 422 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT63R4

RHC2512FT63R4

ნაწილი საფონდო: 167090

წინააღმდეგობა: 63.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT105R

RHC2512FT105R

ნაწილი საფონდო: 140814

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT22R0

RHC2512FT22R0

ნაწილი საფონდო: 154917

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT316R

RHC2512FT316R

ნაწილი საფონდო: 166037

წინააღმდეგობა: 316 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT287R

RHC2512FT287R

ნაწილი საფონდო: 111748

წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT392R

RHC2512FT392R

ნაწილი საფონდო: 179061

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT10R0

RHC2512FT10R0

ნაწილი საფონდო: 185201

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RHC2512FT511R

RHC2512FT511R

ნაწილი საფონდო: 125095

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი