ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

SM6227FT5R49

SM6227FT5R49

ნაწილი საფონდო: 144367

წინააღმდეგობა: 5.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT71R5

SM6227FT71R5

ნაწილი საფონდო: 144328

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT255R

SM6227FT255R

ნაწილი საფონდო: 144334

წინააღმდეგობა: 255 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT422R

SM6227FT422R

ნაწილი საფონდო: 144322

წინააღმდეგობა: 422 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT1K00

SM6227FT1K00

ნაწილი საფონდო: 144367

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT15R4

SM6227FT15R4

ნაწილი საფონდო: 144386

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM4527FT10L0

SM4527FT10L0

ნაწილი საფონდო: 153012

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT261R

SM6227FT261R

ნაწილი საფონდო: 144337

წინააღმდეგობა: 261 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKT10K0

RNCF1206TKT10K0

ნაწილი საფონდო: 148614

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT3R01

SM6227FT3R01

ნაწილი საფონდო: 144291

წინააღმდეგობა: 3.01 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT487R

SM6227FT487R

ნაწილი საფონდო: 144365

წინააღმდეგობა: 487 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM2615FTR442

SM2615FTR442

ნაწილი საფონდო: 143781

წინააღმდეგობა: 442 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT137R

SM6227FT137R

ნაწილი საფონდო: 144290

წინააღმდეგობა: 137 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT3R92

SM6227FT3R92

ნაწილი საფონდო: 144353

წინააღმდეგობა: 3.92 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM2615FTR107

SM2615FTR107

ნაწილი საფონდო: 143802

წინააღმდეგობა: 107 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM2615FT649R

SM2615FT649R

ნაწილი საფონდო: 150054

წინააღმდეგობა: 649 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT1R02

SM6227FT1R02

ნაწილი საფონდო: 144372

წინააღმდეგობა: 1.02 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKT150K

RNCF1206TKT150K

ნაწილი საფონდო: 148567

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF2010BTY350R

RNCF2010BTY350R

ნაწილი საფონდო: 157885

წინააღმდეგობა: 350 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM4124JTR620

SM4124JTR620

ნაწილი საფონდო: 159365

წინააღმდეგობა: 620 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM2615JTR150

SM2615JTR150

ნაწილი საფონდო: 159156

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF2010BTY357R

RNCF2010BTY357R

ნაწილი საფონდო: 157868

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM4124JTR680

SM4124JTR680

ნაწილი საფონდო: 159405

წინააღმდეგობა: 680 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM2615JTR360

SM2615JTR360

ნაწილი საფონდო: 159132

წინააღმდეგობა: 360 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4124JTR100

SM4124JTR100

ნაწილი საფონდო: 159387

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKE1K15

RNCF0805TKE1K15

ნაწილი საფონდო: 157909

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKE10K0

RNCF0805TKE10K0

ნაწილი საფონდო: 157831

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKE10K5

RNCF0805TKE10K5

ნაწილი საფონდო: 157829

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKE100R

RNCF0805TKE100R

ნაწილი საფონდო: 157833

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKE4K99

RNCF0805TKE4K99

ნაწილი საფონდო: 157856

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKE34R0

RNCF0805TKE34R0

ნაწილი საფონდო: 157896

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
CSS2725FTL500

CSS2725FTL500

ნაწილი საფონდო: 166889

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
SM6227FB1K00

SM6227FB1K00

ნაწილი საფონდო: 157322

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKE58K3

RNCF0805TKE58K3

ნაწილი საფონდო: 157863

წინააღმდეგობა: 58.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
SM2615JTR180

SM2615JTR180

ნაწილი საფონდო: 159193

წინააღმდეგობა: 180 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM2615JTR100

SM2615JTR100

ნაწილი საფონდო: 159195

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი