ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

SM6227FTR715

SM6227FTR715

ნაწილი საფონდო: 126283

წინააღმდეგობა: 715 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR158

SM6227FTR158

ნაწილი საფონდო: 126340

წინააღმდეგობა: 158 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TTT49R9

RNCF0603TTT49R9

ნაწილი საფონდო: 126308

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKT150R

RNCF0805TKT150R

ნაწილი საფონდო: 126298

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF0402TTT162R

RNCF0402TTT162R

ნაწილი საფონდო: 126271

წინააღმდეგობა: 162 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKT30K9

RNCF0805TKT30K9

ნაწილი საფონდო: 126306

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR976

SM6227FTR976

ნაწილი საფონდო: 126298

წინააღმდეგობა: 976 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR634

SM6227FTR634

ნაწილი საფონდო: 126300

წინააღმდეგობა: 634 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKT5K11

RNCF0603TKT5K11

ნაწილი საფონდო: 126273

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
HMC0603JT200M

HMC0603JT200M

ნაწილი საფონდო: 126314

წინააღმდეგობა: 200 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKS4K53

RNCF1206TKS4K53

ნაწილი საფონდო: 131227

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR825

SM6227FTR825

ნაწილი საფონდო: 126320

წინააღმდეგობა: 825 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR348

SM6227FTR348

ნაწილი საფონდო: 126338

წინააღმდეგობა: 348 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TTT11K0

RNCF0805TTT11K0

ნაწილი საფონდო: 126276

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TTT47R0

RNCF0805TTT47R0

ნაწილი საფონდო: 126347

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR191

SM6227FTR191

ნაწილი საფონდო: 126341

წინააღმდეგობა: 191 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKT30K9

RNCF0603TKT30K9

ნაწილი საფონდო: 126262

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TTT7K15

RNCF0603TTT7K15

ნაწილი საფონდო: 126272

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR665

SM6227FTR665

ნაწილი საფონდო: 126352

წინააღმდეგობა: 665 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR280

SM6227FTR280

ნაწილი საფონდო: 126353

წინააღმდეგობა: 280 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TTT100R

RNCF0603TTT100R

ნაწილი საფონდო: 126309

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR301

SM6227FTR301

ნაწილი საფონდო: 126286

წინააღმდეგობა: 301 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR523

SM6227FTR523

ნაწილი საფონდო: 126353

წინააღმდეგობა: 523 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TTT150K

RNCF0805TTT150K

ნაწილი საფონდო: 126346

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TTT4K12

RNCF0603TTT4K12

ნაწილი საფონდო: 126260

წინააღმდეგობა: 4.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR118

SM6227FTR118

ნაწილი საფონდო: 126264

წინააღმდეგობა: 118 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKT499R

RNCF0805TKT499R

ნაწილი საფონდო: 126314

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SM6227FTR267

SM6227FTR267

ნაწილი საფონდო: 126335

წინააღმდეგობა: 267 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF1210BKT200K

RNCF1210BKT200K

ნაწილი საფონდო: 134710

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF1210BKT121R

RNCF1210BKT121R

ნაწილი საფონდო: 134699

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF1210BKT10K7

RNCF1210BKT10K7

ნაწილი საფონდო: 134768

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF1210BKT10K2

RNCF1210BKT10K2

ნაწილი საფონდო: 134683

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF1210BKT953R

RNCF1210BKT953R

ნაწილი საფონდო: 134739

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF1210BKT34K8

RNCF1210BKT34K8

ნაწილი საფონდო: 134728

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF1210BKT82K5

RNCF1210BKT82K5

ნაწილი საფონდო: 134742

წინააღმდეგობა: 82.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF1210BKT255R

RNCF1210BKT255R

ნაწილი საფონდო: 134697

წინააღმდეგობა: 255 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი