ოპტიკური სენსორები - ფოტოინტერუტერები - სლოტის ტიპ

GP1S194HCZ0F

GP1S194HCZ0F

ნაწილი საფონდო: 6069

ზონდირების მანძილი: 0.067" (1.7mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor,

სასურველი
GP1S59J0000F

GP1S59J0000F

ნაწილი საფონდო: 9615

ზონდირების მანძილი: 0.165" (4.2mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S296HCPSF

GP1S296HCPSF

ნაწილი საფონდო: 145

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

ნაწილი საფონდო: 50627

ზონდირების მანძილი: 0.079" (2mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

ნაწილი საფონდო: 109363

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S52VJ000F

GP1S52VJ000F

ნაწილი საფონდო: 143247

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S396HCPSF

GP1S396HCPSF

ნაწილი საფონდო: 198773

ზონდირების მანძილი: 0.047" (1.2mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN - Open Collector, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

ნაწილი საფონდო: 177339

ზონდირების მანძილი: 0.079" (2mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S196HCPSF

GP1S196HCPSF

ნაწილი საფონდო: 161

ზონდირების მანძილი: 0.043" (1.1mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S53VJ000F

GP1S53VJ000F

ნაწილი საფონდო: 58604

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S196HCZ0F

GP1S196HCZ0F

ნაწილი საფონდო: 151

ზონდირების მანძილი: 0.043" (1.1mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი
GP1S51VJ000F

GP1S51VJ000F

ნაწილი საფონდო: 49232

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

სასურველი