ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 17.7A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 28A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 23A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 18A, მიმდინარე - სატურაცია: 30A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.5A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A, მიმდინარე - სატურაცია: 11A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 24A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 12.5A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 27A, მიმდინარე - სატურაცია: 45A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 30A, მიმდინარე - სატურაცია: 48A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A, მიმდინარე - სატურაცია: 15.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.8A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,
