ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 20.8nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 610mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 940mA, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,
ტიპი: Toroidal, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 250µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.25A,
ტიპი: Toroidal, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA, მიმდინარე - სატურაცია: 250mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 36nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Toroidal, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A,
