კრისტალები

ABM12W-37.0000MHZ-7-B2U-T3

ABM12W-37.0000MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126350

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.0000MHZ-8-D2X-T3

ABM12W-30.0000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126264

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-19.2000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130796

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-25.0000MHZ-6-J1Z-T3

ABM12W-25.0000MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126338

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5454MHZ-7-K2Z-T3

ABM12W-24.5454MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126327

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5727MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-24.5727MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130791

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3300MHZ-6-J2Z-T3

ABM12W-33.3300MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126336

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.1200MHZ-7-B1U-T3

ABM12W-27.1200MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126349

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3330MHZ-8-D2X-T3

ABM12W-33.3330MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126255

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5455MHZ-6-D2X-T3

ABM12W-24.5455MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126341

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5535MHZ-7-K2Z-T3

ABM12W-24.5535MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126298

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3300MHZ-7-K2Z-T3

ABM12W-33.3300MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126353

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-26.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130796

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.9231MHZ-8-D1X-T3

ABM12W-24.9231MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126290

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM12W-38.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126284

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5760MHZ-8-D1X-T3

ABM12W-24.5760MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126260

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.0000MHZ-6-B2U-T3

ABM12W-30.0000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126280

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3333MHZ-6-J2Z-T3

ABM12W-33.3333MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126334

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0410MHZ-7-K2Z-T3

ABM12W-26.0410MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126270

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5535MHZ-8-J2Z-T3

ABM12W-24.5535MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126323

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5455MHZ-8-K2Z-T3

ABM12W-24.5455MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126295

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.4000MHZ-6-K2Z-T3

ABM12W-38.4000MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126346

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.0000MHZ-7-K2Z-T3

ABM12W-27.0000MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126261

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0000MHZ-7-B1U-T3

ABM12W-26.0000MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126267

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-48.0000MHZ-6-J2Z-T3

ABM12W-48.0000MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126257

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.0000MHZ-6-B2U-T3

ABM12W-38.0000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126331

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5454MHZ-7-K1Z-T3

ABM12W-24.5454MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126289

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5454MHZ-6-K2Z-T3

ABM12W-24.5454MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126271

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5455MHZ-8-J2Z-T3

ABM12W-24.5455MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126339

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-39.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-39.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130811

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-8-K2Z-T3

ABM12W-37.0500MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126306

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5727MHZ-8-D1X-T3

ABM12W-24.5727MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126281

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3333MHZ-6-J1Z-T3

ABM12W-33.3333MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126353

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0000MHZ-8-J2Z-T3

ABM12W-37.0000MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126352

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.8800MHZ-6-D2X-T3

ABM12W-38.8800MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126256

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-40.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130767

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი