კრისტალები

ABM10AIG-24.576MHZ-D2Z-T3

ABM10AIG-24.576MHZ-D2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130801

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-24.000MHZ-D2Z-T3

ABM10AIG-24.000MHZ-D2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130774

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-48.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-48.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124617

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-40.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-40.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124616

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-32.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-32.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124585

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-30.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-30.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124563

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-27.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-27.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124632

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-26.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-26.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124579

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-25.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-25.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124608

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-24.576MHZ-4-T3

ABM10AIG-24.576MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124571

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-20.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-20.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124621

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-12.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-12.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124594

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-16.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-16.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124568

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-20.000MHZ-12-2-T3

ABM8AIG-20.000MHZ-12-2-T3

ნაწილი საფონდო: 124592

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABLS3-4.000MHZ-K4-T

ABLS3-4.000MHZ-K4-T

ნაწილი საფონდო: 9387

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 180 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-30.000MHZ-J4Z-T3

ABM11AIG-30.000MHZ-J4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 124542

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-19.6608MHZ-12-2-T3

ABM8AIG-19.6608MHZ-12-2-T3

ნაწილი საფონდო: 124600

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.6608MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-26.000MHZ-4-T3

ABM11AIG-26.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124596

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-40.000MHZ-J4Z-T3

ABM11AIG-40.000MHZ-J4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 124581

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-48.000MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-48.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 193032

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-48.000MHZ-4Z-T3

ABM10AIG-48.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 143361

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-40.000MHZ-J4Z-T3

ABM10AIG-40.000MHZ-J4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 110757

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-26.000MHZ-J4Z-T3

ABM10AIG-26.000MHZ-J4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 180485

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-26.000MHZ-D2Z-T3

ABM10AIG-26.000MHZ-D2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130815

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-25.000MHZ-D2Z-T3

ABM10AIG-25.000MHZ-D2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130844

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-30.000MHZ-D2Z-T3

ABM10AIG-30.000MHZ-D2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130818

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-24.000MHZ-4-T3

ABM10AIG-24.000MHZ-4-T3

ნაწილი საფონდო: 124627

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
AB-19.6608MHZ-B2-T

AB-19.6608MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 143601

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.6608MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 25 Ohms,

სასურველი
AB-14.7456MHZ-B2-T

AB-14.7456MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 170130

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 25 Ohms,

სასურველი
AB-12.288MHZ-B2-T

AB-12.288MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 172338

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.288MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
ABLS6M-26.000MHZ-D-2Y-T

ABLS6M-26.000MHZ-D-2Y-T

ნაწილი საფონდო: 118653

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABLS6M-25.000MHZ-D-2Y-T

ABLS6M-25.000MHZ-D-2Y-T

ნაწილი საფონდო: 160949

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM7-12.500MHZ-D2Y-T

ABM7-12.500MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 139563

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM3B-27.120MHZ-10-B2H-T

ABM3B-27.120MHZ-10-B2H-T

ნაწილი საფონდო: 122108

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±35ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-27.000MHZ-10-1-U-T

ABM3B-27.000MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122113

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-13.824MHZ-10-1-U-T

ABM3B-13.824MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122145

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13.824MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი