ოსცილატორები

AMPMGDB-50.0000T

AMPMGDB-50.0000T

ნაწილი საფონდო: 3903

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 50MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-5.1200T

AMPMGDB-5.1200T

ნაწილი საფონდო: 3906

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 5.12MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-5.0000T

AMPMGDB-5.0000T

ნაწილი საფონდო: 3908

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 5MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-48.0000T

AMPMGDB-48.0000T

ნაწილი საფონდო: 3955

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 48MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-45.0000T

AMPMGDB-45.0000T

ნაწილი საფონდო: 3941

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 45MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-44.0000T

AMPMGDB-44.0000T

ნაწილი საფონდო: 3912

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 44MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-40.0000T

AMPMGDB-40.0000T

ნაწილი საფონდო: 3919

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 40MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-42.5000T

AMPMGDB-42.5000T

ნაწილი საფონდო: 3961

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 42.5MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AOCJY2A-10.000MHZ-E-SW

AOCJY2A-10.000MHZ-E-SW

ნაწილი საფონდო: 355

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 10MHz, ძაბვა - მიწოდება: Sine Wave, სიხშირის სტაბილურობა: 5V,

სასურველი
AOCJY2A-100.000MHZ-E-SW

AOCJY2A-100.000MHZ-E-SW

ნაწილი საფონდო: 318

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 100MHz, ძაბვა - მიწოდება: Sine Wave, სიხშირის სტაბილურობა: 5V,

სასურველი
AOCJY3-10.000MHZ-E

AOCJY3-10.000MHZ-E

ნაწილი საფონდო: 306

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 10MHz, ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 3.3V,

სასურველი
AOCJY3A-100.000MHZ-E-SW

AOCJY3A-100.000MHZ-E-SW

ნაწილი საფონდო: 361

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 100MHz, ძაბვა - მიწოდება: Sine Wave, სიხშირის სტაბილურობა: 5V,

სასურველი
AMPMGDB-4.9152T

AMPMGDB-4.9152T

ნაწილი საფონდო: 3966

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 4.9152MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AOCJY3A-10.000MHZ-E-SW

AOCJY3A-10.000MHZ-E-SW

ნაწილი საფონდო: 369

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 10MHz, ძაბვა - მიწოდება: Sine Wave, სიხშირის სტაბილურობა: 5V,

სასურველი
AOCJY3A-26.000MHZ-E-SW

AOCJY3A-26.000MHZ-E-SW

ნაწილი საფონდო: 339

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 26MHz, ძაბვა - მიწოდება: Sine Wave, სიხშირის სტაბილურობა: 5V,

სასურველი
AOCJY3-40.000MHZ-E

AOCJY3-40.000MHZ-E

ნაწილი საფონდო: 305

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 40MHz, ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 3.3V,

სასურველი
AMPMGDB-4.0960T

AMPMGDB-4.0960T

ნაწილი საფონდო: 3914

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 4.096MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-4.0000T

AMPMGDB-4.0000T

ნაწილი საფონდო: 3966

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 4MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-38.4000T

AMPMGDB-38.4000T

ნაწილი საფონდო: 3964

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 38.4MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-36.8640T

AMPMGDB-36.8640T

ნაწილი საფონდო: 3984

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 36.864MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-37.5000T

AMPMGDB-37.5000T

ნაწილი საფონდო: 3957

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 37.5MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-35.3280T

AMPMGDB-35.3280T

ნაწილი საფონდო: 3902

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 35.328MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-36.0000T

AMPMGDB-36.0000T

ნაწილი საფონდო: 3962

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 36MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-35.0000T

AMPMGDB-35.0000T

ნაწილი საფონდო: 3455

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 35MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-33.3333T

AMPMGDB-33.3333T

ნაწილი საფონდო: 3882

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 33.3333MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-34.0000T

AMPMGDB-34.0000T

ნაწილი საფონდო: 3948

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 34MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-33.33333T

AMPMGDB-33.33333T

ნაწილი საფონდო: 3964

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 33.3333MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AOCJY3-40.000MHZ-SW

AOCJY3-40.000MHZ-SW

ნაწილი საფონდო: 377

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 40MHz, ძაბვა - მიწოდება: Sine Wave, სიხშირის სტაბილურობა: 3.3V,

სასურველი
AOCJY3A-40.000MHZ

AOCJY3A-40.000MHZ

ნაწილი საფონდო: 348

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 40MHz, ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 5V,

სასურველი
AMPMGDB-33.3330T

AMPMGDB-33.3330T

ნაწილი საფონდო: 3930

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 33.333MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AOCJY3-40.000MHZ

AOCJY3-40.000MHZ

ნაწილი საფონდო: 308

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 40MHz, ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 3.3V,

სასურველი
AOCJY3B-12.800MHZ

AOCJY3B-12.800MHZ

ნაწილი საფონდო: 330

ტიპი: Crystal, სიხშირე: VCOCXO, ფუნქცია: 12.8MHz, ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 12V,

სასურველი
AMPMGDB-33.3300T

AMPMGDB-33.3300T

ნაწილი საფონდო: 3905

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 33.33MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-33.0000T

AMPMGDB-33.0000T

ნაწილი საფონდო: 3932

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 33MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-32.0000T

AMPMGDB-32.0000T

ნაწილი საფონდო: 3924

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 32MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი
AMPMGDB-30.0000T

AMPMGDB-30.0000T

ნაწილი საფონდო: 3950

ტიპი: MEMS, სიხშირე: XO (Standard), ფუნქცია: 30MHz, გამომავალი: Standby (Power Down), ძაბვა - მიწოდება: CMOS, სიხშირის სტაბილურობა: 1.71V ~ 3.63V,

სასურველი