Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ

  • სახლი
  •  
  • ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ
GP2S40JJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S40JJ000F

ნაწილი საფონდო: 4316

ზონდირების მანძილი: 0.138" (3.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2S27T
Sharp Microelectronics

GP2S27T

ნაწილი საფონდო: 2691

ზონდირების მანძილი: 0.031" (0.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2L20R
Sharp Microelectronics

GP2L20R

ნაწილი საფონდო: 2748

ზონდირების მანძილი: 0.512" (13mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი
GP2S24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S24J0000F

ნაწილი საფონდო: 4326

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2S40J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S40J0000F

ნაწილი საფონდო: 2712

ზონდირების მანძილი: 0.138" (3.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2L24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24ABJ00F

ნაწილი საფონდო: 2712

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი
GP2L26
Sharp Microelectronics

GP2L26

ნაწილი საფონდო: 2756

ზონდირების მანძილი: 0.031" (0.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი
GP2S24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24BCJ00F

ნაწილი საფონდო: 2737

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2S27T2J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T2J00F

ნაწილი საფონდო: 4345

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2L24
Sharp Microelectronics

GP2L24

ნაწილი საფონდო: 4363

ზონდირების მანძილი: 0.031" (0.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი
GP2S24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24ABJ00F

ნაწილი საფონდო: 2735

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2L24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2L24J0000F

ნაწილი საფონდო: 2726

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი
GP2S27T6J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T6J00F

ნაწილი საფონდო: 2679

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2S27TJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S27TJ000F

ნაწილი საფონდო: 2724

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2S24CJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S24CJ000F

ნაწილი საფონდო: 2724

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2S60A
Sharp Microelectronics

GP2S60A

ნაწილი საფონდო: 2778

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2S27T3J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T3J00F

ნაწილი საფონდო: 2727

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2S24
Sharp Microelectronics

GP2S24

ნაწილი საფონდო: 4283

ზონდირების მანძილი: 0.031" (0.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2L24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24BCJ00F

ნაწილი საფონდო: 2763

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი
GP2L24BJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24BJ00F

ნაწილი საფონდო: 2769

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი
GP2S28
Sharp Microelectronics

GP2S28

ნაწილი საფონდო: 2729

ზონდირების მანძილი: 0.551" (14mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2L24CJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24CJ00F

ნაწილი საფონდო: 2708

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი
GP2S24BJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S24BJ000F

ნაწილი საფონდო: 2701

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
GP2S40
Sharp Microelectronics

GP2S40

ნაწილი საფონდო: 2756

ზონდირების მანძილი: 0.256" (6.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი