ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

100200-4Y300-2

100200-4Y300-2

ნაწილი საფონდო: 59

სასურველი
R1A060350R0G5AR

R1A060350R0G5AR

ნაწილი საფონდო: 7010

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
C1A131350R0G4A2

C1A131350R0G4A2

ნაწილი საფონდო: 7706

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
C1K131350R0G4F4

C1K131350R0G4F4

ნაწილი საფონდო: 13123

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R3A100550R0J5G0

R3A100550R0J5G0

ნაწილი საფონდო: 7231

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R2B130850R0J4J0

R2B130850R0J4J0

ნაწილი საფონდო: 14219

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
R2B080550R0J5J0

R2B080550R0J5J0

ნაწილი საფონდო: 8104

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R1B131350R0F5BT

R1B131350R0F5BT

ნაწილი საფონდო: 7722

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R2B131350R0J5J0

R2B131350R0J5J0

ნაწილი საფონდო: 15957

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R3B100550R0J5G0

R3B100550R0J5G0

ნაწილი საფონდო: 7233

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R2B100550R0J5G0

R2B100550R0J5G0

ნაწილი საფონდო: 7199

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R2B131350R0J5L0

R2B131350R0J5L0

ნაწილი საფონდო: 18801

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R1A100550R0J5A0

R1A100550R0J5A0

ნაწილი საფონდო: 13049

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
C3A110650R0K5K5

C3A110650R0K5K5

ნაწილი საფონდო: 2055

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R1K131350R0G5F3

R1K131350R0G5F3

ნაწილი საფონდო: 8146

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
C1K131350R0G4F2

C1K131350R0G4F2

ნაწილი საფონდო: 8161

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R1A100550R0J5C0

R1A100550R0J5C0

ნაწილი საფონდო: 15369

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
R3C131350R0G4K0

R3C131350R0G4K0

ნაწილი საფონდო: 9817

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 1.25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
C1A101050R0J4A0

C1A101050R0J4A0

ნაწილი საფონდო: 9948

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
E250N50X4

E250N50X4

ნაწილი საფონდო: 16497

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency,

სასურველი
E250N50X4B

E250N50X4B

ნაწილი საფონდო: 16520

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency,

სასურველი
E150N50X4

E150N50X4

ნაწილი საფონდო: 22833

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency,

სასურველი
E200N50X4

E200N50X4

ნაწილი საფონდო: 21452

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency,

სასურველი
E150N50X4E

E150N50X4E

ნაწილი საფონდო: 24017

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency,

სასურველი
E125N50X4

E125N50X4

ნაწილი საფონდო: 25289

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 125W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency,

სასურველი