სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±15%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 100k, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.0125%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.25k, 5k, ტოლერანტობა: ±15%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.0125%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 100k, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.0125%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.0125%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.0125%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±15%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 5k, ტოლერანტობა: ±15%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 100k, ტოლერანტობა: ±15%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 9k, ტოლერანტობა: ±15%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±15%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±7.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.2 ppm/°C,
