გამაძლიერებლის ტიპი: Sample and Hold, სქემების რაოდენობა: 4, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 25MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 22V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 4.7MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 52V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Sample and Hold, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 10V/µs, -3db გამტარობა: 2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 0.15V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 500kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 250V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 34MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 6MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 50MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 170V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 28MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 0.15V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 500kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 1V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 275V/µs, -3db გამტარობა: 35MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1MHz, -3db გამტარობა: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 100V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 16MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 275V/µs, -3db გამტარობა: 90MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 400V/µs, -3db გამტარობა: 140MHz,