იკვებება კონდენსატორების საშუალებით

FN7561-30-M6S

FN7561-30-M6S

ნაწილი საფონდო: 8581

ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 30A, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7561-200-M10

FN7561-200-M10

ნაწილი საფონდო: 1000

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 200A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.16 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7514-32-M4

FN7514-32-M4

ნაწილი საფონდო: 1719

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), მიმდინარე: 32A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.58 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7562-200-M10

FN7562-200-M10

ნაწილი საფონდო: 781

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 200A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.18 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7563-32-M4

FN7563-32-M4

ნაწილი საფონდო: 1515

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 32A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.63 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7562-32-M4

FN7562-32-M4

ნაწილი საფონდო: 1626

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 32A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.62 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7562-100-M8

FN7562-100-M8

ნაწილი საფონდო: 831

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 100A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.23 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7512-63-M6

FN7512-63-M6

ნაწილი საფონდო: 1241

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), მიმდინარე: 63A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.3 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7510-16-M4

FN7510-16-M4

ნაწილი საფონდო: 1838

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), მიმდინარე: 16A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.5 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7510-32-M4

FN7510-32-M4

ნაწილი საფონდო: 1718

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), მიმდინარე: 32A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.52 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7510-100-M8

FN7510-100-M8

ნაწილი საფონდო: 1515

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), მიმდინარე: 100A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.23 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7562-16-M4

FN7562-16-M4

ნაწილი საფონდო: 3011

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 16A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.62 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7563-200-M10

FN7563-200-M10

ნაწილი საფონდო: 624

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 200A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.14 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7563-100-M8

FN7563-100-M8

ნაწილი საფონდო: 1115

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 100A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.25 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7510-10-M3

FN7510-10-M3

ნაწილი საფონდო: 2984

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), მიმდინარე: 10A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.8 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7511-10-M3

FN7511-10-M3

ნაწილი საფონდო: 2365

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), მიმდინარე: 10A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.8 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7513-16-M4

FN7513-16-M4

ნაწილი საფონდო: 1433

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), მიმდინარე: 16A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.58 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7561-100-M8

FN7561-100-M8

ნაწილი საფონდო: 1523

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 100A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.23 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7511-100-M8

FN7511-100-M8

ნაწილი საფონდო: 1309

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), მიმდინარე: 100A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.23 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7560-10-M3

FN7560-10-M3

ნაწილი საფონდო: 3057

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 10A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.8 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი
FN7563-63-M6

FN7563-63-M6

ნაწილი საფონდო: 1339

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 650V, მიმდინარე: 63A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 0.43 mOhm (Typ), ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 100°C,

სასურველი