ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RUT5025JR510CS

RUT5025JR510CS

ნაწილი საფონდო: 180332

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR160CS

RUT5025JR160CS

ნაწილი საფონდო: 165931

წინააღმდეგობა: 160 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR300CS

RUT5025JR300CS

ნაწილი საფონდო: 114077

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR100CS

RUT5025JR100CS

ნაწილი საფონდო: 125519

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR150CS

RUT5025JR150CS

ნაწილი საფონდო: 187749

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR750CS

RUT5025JR750CS

ნაწილი საფონდო: 165344

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR910CS

RUT5025JR910CS

ნაწილი საფონდო: 109826

წინააღმდეგობა: 910 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR330CS

RUT5025JR330CS

ნაწილი საფონდო: 168967

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR430CS

RUT5025JR430CS

ნაწილი საფონდო: 175917

წინააღმდეგობა: 430 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR270CS

RUT5025JR270CS

ნაწილი საფონდო: 176815

წინააღმდეგობა: 270 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT5025JR120CS

RUT5025JR120CS

ნაწილი საფონდო: 168402

წინააღმდეგობა: 120 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.667W, 2/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR030CS

RU2012FR030CS

ნაწილი საფონდო: 135696

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RUK2012JR024CS

RUK2012JR024CS

ნაწილი საფონდო: 170011

წინააღმდეგობა: 24 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR012CS

RU2012FR012CS

ნაწილი საფონდო: 107769

წინააღმდეგობა: 12 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±600ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR016CS

RU2012FR016CS

ნაწილი საფონდო: 157206

წინააღმდეგობა: 16 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±600ppm/°C,

სასურველი
RUT3216FR130CS

RUT3216FR130CS

ნაწილი საფონდო: 162867

წინააღმდეგობა: 130 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR050CS

RU2012FR050CS

ნაწილი საფონდო: 134444

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR036CS

RU2012FR036CS

ნაწილი საფონდო: 155452

წინააღმდეგობა: 36 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR024CS

RU2012FR024CS

ნაწილი საფონდო: 178042

წინააღმდეგობა: 24 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±600ppm/°C,

სასურველი
RUK2012JR030CS

RUK2012JR030CS

ნაწილი საფონდო: 170993

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR068CS

RU2012FR068CS

ნაწილი საფონდო: 147886

წინააღმდეგობა: 68 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT3216FR300CS

RUT3216FR300CS

ნაწილი საფონდო: 128967

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUK2012JR013CS

RUK2012JR013CS

ნაწილი საფონდო: 123137

წინააღმდეგობა: 13 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RUT3216FR150CS

RUT3216FR150CS

ნაწილი საფონდო: 189367

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR075CS

RU2012FR075CS

ნაწილი საფონდო: 134172

წინააღმდეგობა: 75 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT3216FR100CS

RUT3216FR100CS

ნაწილი საფონდო: 194406

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUK2012JR022CS

RUK2012JR022CS

ნაწილი საფონდო: 109128

წინააღმდეგობა: 22 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR056CS

RU2012FR056CS

ნაწილი საფონდო: 183084

წინააღმდეგობა: 56 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT3216FR750CS

RUT3216FR750CS

ნაწილი საფონდო: 172914

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR033CS

RU2012FR033CS

ნაწილი საფონდო: 171650

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR051CS

RU2012FR051CS

ნაწილი საფონდო: 102013

წინააღმდეგობა: 51 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUK2012JR011CS

RUK2012JR011CS

ნაწილი საფონდო: 177215

წინააღმდეგობა: 11 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR091CS

RU2012FR091CS

ნაწილი საფონდო: 168693

წინააღმდეგობა: 91 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RUT3216FR220CS

RUT3216FR220CS

ნაწილი საფონდო: 119027

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RU2012FR025CS

RU2012FR025CS

ნაწილი საფონდო: 163759

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±600ppm/°C,

სასურველი
RUK2012JR012CS

RUK2012JR012CS

ნაწილი საფონდო: 149335

წინააღმდეგობა: 12 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი