ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

QBED8240

QBED8240

ნაწილი საფონდო: 120054

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 40°,

სასურველი
QBLP651-IR1

QBLP651-IR1

ნაწილი საფონდო: 104048

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.6mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 40°,

სასურველი
QBHP684-IR4BU

QBHP684-IR4BU

ნაწილი საფონდო: 31514

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 740nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBLP630-IR3

QBLP630-IR3

ნაწილი საფონდო: 104693

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.1mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 140°,

სასურველი
QBLP630-IR1

QBLP630-IR1

ნაწილი საფონდო: 150532

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.6mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 140°,

სასურველი
QBHP684E-UV385BS

QBHP684E-UV385BS

ნაწილი საფონდო: 25682

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 385nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBED8340

QBED8340

ნაწილი საფონდო: 107751

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 30mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 40°,

სასურველი
QBHP6868E-UV365K

QBHP6868E-UV365K

ნაწილი საფონდო: 1623

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 2A, ტალღის სიგრძე: 367nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.8V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი
QBLP670-UV

QBLP670-UV

ნაწილი საფონდო: 117284

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.2V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBEC5120

QBEC5120

ნაწილი საფონდო: 149826

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 30mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
QBHP684E-UV365BS

QBHP684E-UV365BS

ნაწილი საფონდო: 9123

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 367nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBHP684U-IRU

QBHP684U-IRU

ნაწილი საფონდო: 37225

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 130°,

სასურველი
QBHP684-IR4AU

QBHP684-IR4AU

ნაწილი საფონდო: 28111

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 740nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი
QBED8120

QBED8120

ნაწილი საფონდო: 178646

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 30mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
QBHP684E-UV405BS

QBHP684E-UV405BS

ნაწილი საფონდო: 26279

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBHP5050E-UV385BK

QBHP5050E-UV385BK

ნაწილი საფონდო: 2503

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 2A, ტალღის სიგრძე: 385nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.7V, Ხედვის კუთხე: 125°,

სასურველი
QBLP676-IR2

QBLP676-IR2

ნაწილი საფონდო: 121102

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.1mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBLP601-IR2

QBLP601-IR2

ნაწილი საფონდო: 171448

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBLP670-IR3

QBLP670-IR3

ნაწილი საფონდო: 107762

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.2mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBLP650-IR1

QBLP650-IR1

ნაწილი საფონდო: 161894

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 140°,

სასურველი
QBL912ZC-IR3

QBL912ZC-IR3

ნაწილი საფონდო: 166274

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.6mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
QBLP653B-IR1

QBLP653B-IR1

ნაწილი საფონდო: 180572

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.6mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 15°,

სასურველი
QBLP653-IR3

QBLP653-IR3

ნაწილი საფონდო: 112780

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2.1mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 15°,

სასურველი
QBHP5050E-UV395BK

QBHP5050E-UV395BK

ნაწილი საფონდო: 2654

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 2A, ტალღის სიგრძე: 395nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.7V, Ხედვის კუთხე: 125°,

სასურველი
QBHP684-IR3AU

QBHP684-IR3AU

ნაწილი საფონდო: 33743

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი
QBLP650-IR3

QBLP650-IR3

ნაწილი საფონდო: 131459

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.3mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 140°,

სასურველი
QBL912GC-IR2

QBL912GC-IR2

ნაწილი საფონდო: 126781

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.6mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
QBLP630-IR2

QBLP630-IR2

ნაწილი საფონდო: 150545

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 140°,

სასურველი
QBHP6868E-UV385K

QBHP6868E-UV385K

ნაწილი საფონდო: 1188

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 2A, ტალღის სიგრძე: 385nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.8V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი
QBHP684-IR1BU

QBHP684-IR1BU

ნაწილი საფონდო: 38858

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBLP613-IR1

QBLP613-IR1

ნაწილი საფონდო: 154443

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 150°,

სასურველი
QBLP670-IR1

QBLP670-IR1

ნაწილი საფონდო: 114372

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBLP679-IR3

QBLP679-IR3

ნაწილი საფონდო: 116780

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.6mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBHP684E-UV365AS

QBHP684E-UV365AS

ნაწილი საფონდო: 8670

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 367nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი
QBLP670-IR2

QBLP670-IR2

ნაწილი საფონდო: 178927

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.6mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
QBHP684E-UV405AS

QBHP684E-UV405AS

ნაწილი საფონდო: 24143

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი