ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

BLC9H10XS-60PY

BLC9H10XS-60PY

ნაწილი საფონდო: 143

სასურველი
BLF888AS,112

BLF888AS,112

ნაწილი საფონდო: 380

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 860MHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
BLC9G20XS-550AVT

BLC9G20XS-550AVT

ნაწილი საფონდო: 512

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.81GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 15.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLC9G22XS-400AVT

BLC9G22XS-400AVT

ნაწილი საფონდო: 594

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 15.3dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი
BLF573S,112

BLF573S,112

ნაწილი საფონდო: 704

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 225MHz, მოგება: 27.2dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 42A,

სასურველი
BLF7G10LS-250,112

BLF7G10LS-250,112

ნაწილი საფონდო: 726

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 920MHz ~ 960MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
BLP05H6350XRY

BLP05H6350XRY

ნაწილი საფონდო: 913

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 108MHz, მოგება: 27dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
BLF8G22LS-205VJ

BLF8G22LS-205VJ

ნაწილი საფონდო: 787

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 18.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLF7G27LS-100,112

BLF7G27LS-100,112

ნაწილი საფონდო: 921

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 28A,

სასურველი
BLA8G1011LS-300U

BLA8G1011LS-300U

ნაწილი საფონდო: 318

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.06GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი
BLS6G3135-120,112

BLS6G3135-120,112

ნაწილი საფონდო: 264

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 3.1GHz ~ 3.5GHz, მოგება: 11dB, ძაბვა - ტესტი: 32V, მიმდინარე რეიტინგი: 7.2A,

სასურველი
BLF7G20LS-200,112

BLF7G20LS-200,112

ნაწილი საფონდო: 769

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.81GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLF6G27-10G,118

BLF6G27-10G,118

ნაწილი საფონდო: 2357

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A,

სასურველი
BLM9D2327S-50PBY

BLM9D2327S-50PBY

ნაწილი საფონდო: 115

სასურველი
BLC10G22LS-240PVTY

BLC10G22LS-240PVTY

ნაწილი საფონდო: 706

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 19.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4µA,

სასურველი
BLC9G20XS-400AVT

BLC9G20XS-400AVT

ნაწილი საფონდო: 574

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 1.81GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 16.2dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი
BLP05H6150XRY

BLP05H6150XRY

ნაწილი საფონდო: 1060

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 108MHz, მოგება: 27dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
BLF8G09LS-270GWJ

BLF8G09LS-270GWJ

ნაწილი საფონდო: 776

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 718.5MHz ~ 725.5MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLP05H6110XRY

BLP05H6110XRY

ნაწილი საფონდო: 1232

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 108MHz, მოგება: 27dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
BLF8G27LS-100V,118

BLF8G27LS-100V,118

ნაწილი საფონდო: 1125

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLC8G22LS-450AVZ

BLC8G22LS-450AVZ

ნაწილი საფონდო: 493

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLF8G20LS-160VJ

BLF8G20LS-160VJ

ნაწილი საფონდო: 943

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.81GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLF8G22LS-200GVJ

BLF8G22LS-200GVJ

ნაწილი საფონდო: 808

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLF8G27LS-150VJ

BLF8G27LS-150VJ

ნაწილი საფონდო: 985

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.6GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLF8G22LS-200GV,12

BLF8G22LS-200GV,12

ნაწილი საფონდო: 735

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLC9G20LS-150PVY

BLC9G20LS-150PVY

ნაწილი საფონდო: 1032

სასურველი
BLM7G1822S-80ABGY

BLM7G1822S-80ABGY

ნაწილი საფონდო: 1215

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 31dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLF2425M9LS30J

BLF2425M9LS30J

ნაწილი საფონდო: 1293

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.45GHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი
BLP05H675XRGY

BLP05H675XRGY

ნაწილი საფონდო: 1416

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 108MHz, მოგება: 27dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
BLF7G22LS-250P,118

BLF7G22LS-250P,118

ნაწილი საფონდო: 635

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 65A,

სასურველი
BLC8G27LS-140AVY

BLC8G27LS-140AVY

ნაწილი საფონდო: 980

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.69GHz, მოგება: 14.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLA8G1011L-300U

BLA8G1011L-300U

ნაწილი საფონდო: 304

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.06GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი
BLP7G22-05Z

BLP7G22-05Z

ნაწილი საფონდო: 9917

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLF8G22LS-270J

BLF8G22LS-270J

ნაწილი საფონდო: 765

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLC10G22XS-400AVTY

BLC10G22XS-400AVTY

ნაწილი საფონდო: 151

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8µA,

სასურველი
BLF8G10LS-270V,112

BLF8G10LS-270V,112

ნაწილი საფონდო: 670

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 871.5MHz ~ 891.5MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი