ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 21

Ampleon USA Inc.

BLF2425M8LS140J

ნაწილი საფონდო: 698

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.45GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF2425M7LS140,118

ნაწილი საფონდო: 702

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.45GHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF7G24LS-160P,112

ნაწილი საფონდო: 737

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF6G10L-260PBM,11

ნაწილი საფონდო: 710

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 64A,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF7G24LS-160P,118

ნაწილი საფონდო: 758

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF7G27L-135,112

ნაწილი საფონდო: 703

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.6GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF7G27LS-140,112

ნაწილი საფონდო: 706

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 28A,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF2425M7L100U

ნაწილი საფონდო: 742

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF2425M7LS100U

ნაწილი საფონდო: 813

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF7G27LS-140,118

ნაწილი საფონდო: 822

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 28A,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF7G21LS-160P,112

ნაწილი საფონდო: 817

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 1.93GHz ~ 1.99GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 32.5A,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF2425M7LS100J

ნაწილი საფონდო: 792

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF2425M7L100J

ნაწილი საფონდო: 809

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLP10H610AZ

ნაწილი საფონდო: 2773

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 860MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF10M6LS200U

ნაწილი საფონდო: 837

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 871.5MHz ~ 891.5MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF10M6200U

ნაწილი საფონდო: 833

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 871.5MHz ~ 891.5MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF6H10LS-160,112

ნაწილი საფონდო: 839

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 952.5MHz ~ 957.5MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF8G24LS-200PNU

ნაწილი საფონდო: 644

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 17.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLC8G20LS-400AVZ

ნაწილი საფონდო: 555

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 1.81GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF7G21LS-160P,118

ნაწილი საფონდო: 918

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 1.93GHz ~ 1.99GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 32.5A,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF8G10L-160,112

ნაწილი საფონდო: 874

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 920MHz ~ 960MHz, მოგება: 19.7dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF8G24LS-200PNJ

ნაწილი საფონდო: 698

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 17.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF6H10LS-160,118

ნაწილი საფონდო: 915

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 952.5MHz ~ 957.5MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF6G38LS-50,118

ნაწილი საფონდო: 973

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 3.4GHz ~ 3.6GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 16.5A,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF8G10L-160,118

ნაწილი საფონდო: 991

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 920MHz ~ 960MHz, მოგება: 19.7dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF6G27L-50BN,112

ნაწილი საფონდო: 973

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF10M6160U

ნაწილი საფონდო: 1011

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 922.5MHz ~ 957.5MHz, მოგება: 22.5dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF10M6LS160U

ნაწილი საფონდო: 978

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 922.5MHz ~ 957.5MHz, მოგება: 22.5dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF6G27L-50BN,118

ნაწილი საფონდო: 1028

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF8G27LS-140V,112

ნაწილი საფონდო: 896

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.63GHz ~ 2.69GHz, მოგება: 17.4dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF10M6LS135U

ნაწილი საფონდო: 1043

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 871.5MHz ~ 891.5MHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF10M6135U

ნაწილი საფონდო: 1127

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 871.5MHz ~ 891.5MHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF8G27LS-140V,118

ნაწილი საფონდო: 976

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.63GHz ~ 2.69GHz, მოგება: 17.4dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLP7G22-10Z

ნაწილი საფონდო: 6963

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLF6G38S-25,118

ნაწილი საფონდო: 1183

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 3.4GHz ~ 3.6GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 8.2A,

სასურველი

Ampleon USA Inc.

BLP27M810Z

ნაწილი საფონდო: 3337

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი