გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge, პროგრამები: General Purpose, ინტერფეისი: On/Off, დატვირთვის ტიპი: Inductive, ტექნოლოგია: Power MOSFET, RDS ჩართული (ტიპი): 1.53 Ohm,
გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge, პროგრამები: General Purpose, ინტერფეისი: On/Off, დატვირთვის ტიპი: Inductive, ტექნოლოგია: Power MOSFET, RDS ჩართული (ტიპი): 400 mOhm,
გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge, პროგრამები: General Purpose, ინტერფეისი: On/Off, დატვირთვის ტიპი: Inductive, ტექნოლოგია: Power MOSFET, RDS ჩართული (ტიპი): 1 Ohm,
გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge, პროგრამები: General Purpose, ინტერფეისი: On/Off, დატვირთვის ტიპი: Inductive, ტექნოლოგია: Power MOSFET, RDS ჩართული (ტიპი): 740 mOhm,
გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge, პროგრამები: General Purpose, ინტერფეისი: On/Off, დატვირთვის ტიპი: Inductive, ტექნოლოგია: Power MOSFET, RDS ჩართული (ტიპი): 600 mOhm,
გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge, პროგრამები: General Purpose, ინტერფეისი: On/Off, დატვირთვის ტიპი: Inductive, ტექნოლოგია: Power MOSFET, RDS ჩართული (ტიპი): 260 mOhm,
