Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ

  • სახლი
  •  
  • ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ
EE-SY193
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY193

ნაწილი საფონდო: 93365

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 18V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SF5-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SF5-B

ნაწილი საფონდო: 8947

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY191
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY191

ნაწილი საფონდო: 2757

ზონდირების მანძილი: 0.178" (4.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY169A
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY169A

ნაწილი საფონდო: 5463

ზონდირების მანძილი: 0.157" (4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY124
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY124

ნაწილი საფონდო: 2709

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY1200
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY1200

ნაწილი საფონდო: 48893

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY201
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY201

ნაწილი საფონდო: 2779

ზონდირების მანძილი: 0.157" (4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 15mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი
EE-SY113
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY113

ნაწილი საფონდო: 12359

ზონდირების მანძილი: 0.173" (4.4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY125
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY125

ნაწილი საფონდო: 2778

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY171
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY171

ნაწილი საფონდო: 18679

ზონდირების მანძილი: 0.138" (3.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY169
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY169

ნაწილი საფონდო: 3710

ზონდირების მანძილი: 0.157" (4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY199
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY199

ნაწილი საფონდო: 22122

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY190
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY190

ნაწილი საფონდო: 4272

ზონდირების მანძილი: 0.178" (4.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SB5
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SB5

ნაწილი საფონდო: 8233

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
Z4D-A01
Omron Electronics Inc-EMC Div

Z4D-A01

ნაწილი საფონდო: 4329

ზონდირების მანძილი: 0.256" (6.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective,

სასურველი
EE-SB5-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SB5-B

ნაწილი საფონდო: 10268

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SY110
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY110

ნაწილი საფონდო: 15782

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი
EE-SF5
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SF5

ნაწილი საფონდო: 2766

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი